磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法及基板处理设备技术

技术编号:7125903 阅读:222 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供能够缩短清洁步骤的时间的多层膜的制造方法、磁致电阻效应器件的制造方法以及基板处理设备。在本发明专利技术的一个实施方式中,在加工之间,可以用含有氢气和氧气的混合气体的等离子体清洁蚀刻设备的内部。这缩短了清洁时间,从而提高了生产性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法及基板处理设备技 术领域本专利技术涉及提供高生产性并且可靠性优良的磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法以及基板处理设备。
技术介绍
如专利文献1所示,存在如下的传统已知的清洁处理室内部的方法将清洁气体导入到用于干法蚀刻或成膜的处理室中;在没有导入待处理对象的状态下产生等离子体。 这将在干法蚀刻或成膜时附着于处理室内部的膜材料除去并排出。由此,可防止附着的膜材料在处理时剥落而产生粒子或防止等离子体的诸如等离子体密度的分布等生成状态在每次处理时改变,从而可制造具有高可靠性的电子部件。日本特开平8-330243号公报
技术实现思路
然而,在磁性器件的制造步骤中,当将磁性器件加工成规定形状时,磁性材料附着于蚀刻室。专利文献1使用四氟化碳(carbon tetrafluoride)气体作为清洁气体。当使用如上所述的四氟化碳气体进行清洁处理时,清洁步骤需要很长时间,从而导致生产性低下。考虑到上述情况,完成了本专利技术,并且本专利技术的目的是提供能够缩短清洁步骤的时间的磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法以及基板处理设备。为了实现这些目的,本专利技术是一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁性膜加工室的清洁方法,其包括以下清洁步骤:形成含有氧元素和氢元素的清洁气体的等离子体;以及除去通过磁性膜的加工处理而附着到加工室内部的构成所述磁性膜的金属膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:长田智明
申请(专利权)人:佳能安内华股份有限公司
类型:发明
国别省市:JP

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