MOS器件的仿真方法技术

一种MOS器件的仿真方法，MOS器件的仿真方法包括：提供MOS器件边角模型，所述MOS器件边角模型包括用以描述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角的第一边角模型，所述第一边角模型中包括多个特性参数，所述第一边角模型中还包括对所述多个特性参数中的至少一部分进行调节的可配置系数；确定对所述可配置系数的配置；基于配置后的可配置系数，使用所述MOS器件边角模型进行仿真。本发明专利技术技术方案提高了MOS器件边角模型适用性。

Simulation method of MOS device

A simulation method of MOS devices, including the simulation method of MOS devices with MOS devices: corner model, the MOS device to the first corner model including NMOS PMOS technology to describe slow fast slow PMOS NMOS angle and fast process angle model, including a plurality of characteristic parameters of the first corner model the first corner, the model also includes at least a portion of the plurality of parameters to adjust the configurable coefficient; determine the configuration of the configuration coefficient; configurable coefficient based on the configuration, use the MOS device edge model simulation. The technical proposal of the invention improves the applicability of the MOS device edge angle model.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设计仿真领域，一种MOS器件的仿真方法。
技术介绍
与双极晶体管不同，在不同的晶片之间以及在不同的批次之间，金属-氧化物-半导体-场效晶体管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，MOSFET)参数变化很大。为了在一定程度上减轻电路设计任务的困难，工艺工程师们要保证器件的性能在某个标准范围内，对工艺过程进行严格控制，使工艺参数在一定范围内变化。同时对超出这个性能范围的晶圆进行报废处理，以确保器件性能指标满足需求。通常提供给设计师的MOS晶体管的性能范围以“工艺角”(ProcessComer)和边角模型的形式给出，如图1所示，图1是现有技术一种针对阈值电压的边角模型的示意图。其中，横坐标为NMOS，纵坐标为PMOS。把NMOS和PMOS晶体管的工艺波动范围限制在由FF工艺角(快NMOS晶体管和快PMOS晶体管界定的工艺角)13、FS工艺角(快NMOS晶体管和慢PMOS晶体管界定的工艺角)14、SF工艺角(慢NMOS晶体管和快PMOS晶体管界定的工艺角)12、SS工艺角(慢NMOS晶体管和慢PMOS晶体管界定的工艺角)11所确定的矩形10内(即矩形10内部区域表示可接受的晶片)。其中，FF13工艺角对应NMOS、PMOS晶体管饱和电流同为所述工艺线MOS晶体管的出品最大值、阈值电压同为所述工艺线MOS晶体管的出品最小值，FS14工艺角对应NMOS晶体管饱和电流为所述工艺线MOS晶体管的出品最大值、阈值电压为所述工艺线MOS晶体管的出品最小值，PMOS晶体管饱和电流为所述工艺线MOS晶体管的出品最小值、阈值电压为所述工艺线MOS晶体管的出品最大值；SF12工艺角对应NMOS晶体管饱和电流为所述工艺线MOS晶体管的出品最小值、阈值电压为所述工艺线MOS晶体管的出品最大值，PMOS晶体管饱和电流为所述工艺线MOS晶体管的出品最大值、阈值电压为所述工艺线MOS晶体管的出品最小值；SS11工艺角对应NMOS晶体管、PMOS晶体管饱和电流同为所述工艺线MOS晶体管的出品最小值、阈值电压同为所述工艺线MOS晶体管的出品最大值。例如，具有较薄的栅氧、较低阈值电压的晶体管，就落在FF13工艺角附近。现有技术中，上述FF13工艺角和SS11工艺角通常由工艺中大量数据统计得出，并在电学设计规则中有固定规范。但是FS14工艺角和SF12工艺角都没有固定规则说明。一般由MOS器件边角模型来确定。MOS器件边角模型是某种固定的形状，通常是菱形。在某些特定的情况下MOS器件边角模型为矩形，以覆盖大部分典型工艺角。在典型工艺角和MOS器件边角模型之间有一定的间隙，而MOS器件边角模型则可以反映大规模生产的真实状况。但是，在实际应用中，设计者需要根据自身设计的特点，对更大或者更小范围进行冗余设计，但现有技术的固定形状的方式不能满足设计者的需求。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提高MOS器件边角模型适用性。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种MOS器件的仿真方法，MOS器件的仿真方法包括：提供MOS器件边角模型，所述MOS器件边角模型包括用以描述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角的第一边角模型，所述第一边角模型中包括多个特性参数，所述第一边角模型中还包括对所述多个特性参数中的至少一部分进行调节的可配置系数；确定对所述可配置系数的配置；基于配置后的可配置系数，使用所述MOS器件边角模型进行仿真。可选的，所述MOS器件边角模型还包括用以描述快NMOS快PMOS工艺角和慢NMOS慢PMOS工艺角的第二边角模型；所述MOS器件边角模型覆盖全部典型NMOS典型PMOS工艺角。可选的，通过设置不同的所述可配置系数的值调整所述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角与典型NMOS典型PMOS工艺角的偏移量。可选的，所述可配置系数的取值范围为[0,1]。可选的，所述可配置系数为1时，所述偏移量最大；所述可配置系数为0时，所述偏移量为0。可选的，所述可配置系数取值范围为[0.5,1]。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：本专利技术技术方案通过提供MOS器件边角模型，所述MOS器件边角模型包括用以描述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角的第一边角模型，所述第一边角模型中包括多个特性参数，所述第一边角模型中还包括对所述多个特性参数中的至少一部分进行调节的可配置系数；然后确定对所述可配置系数的配置；最后基于配置后的可配置系数，使用所述MOS器件边角模型进行仿真。本专利技术技术方案通过可配置系数对多个特性参数中的至少一部分进行调节，从而实现了第一边角模型对慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角描述的精准性，进而提高了MOS器件边角模型适用性。进一步，所述可配置系数的取值范围为[0,1]，通过在该取值范围内选取可配置系数，以调节多个特性参数中的至少一部分，进而调整所述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角与典型NMOS典型PMOS工艺角的偏移量，进一步提高了MOS器件边角模型适用性。附图说明图1是现有技术一种针对阈值电压的边角模型的示意图；图2是本专利技术实施例一种MOS器件的仿真方法的流程图；图3是本专利技术实施例一种针对阈值电压的边角模型的示意图。具体实施方式如
技术介绍
中所述，在实际应用中，设计者需要根据自身设计的特点，对更大或者更小范围进行冗余设计，但现有技术的固定形状的方式不能满足设计者的需求。本专利技术技术方案通过可配置系数对多个特性参数中的至少一部分进行调节，从而实现了第一边角模型对慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角描述的精准性，进而提高了MOS器件边角模型适用性。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。图2是本专利技术实施例一种MOS器件的仿真方法的流程图。图2所示的MOS器件的仿真方法可以包括以下步骤：步骤S201：提供MOS器件边角模型；步骤S202：确定对所述可配置系数的配置；步骤S203：基于配置后的可配置系数，使用所述MOS器件边角模型进行仿真。具体实施中，所述MOS器件边角模型可以包括用以描述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角的第一边角模型，所述第一边角模型中可以包括多个特性参数，所述第一边角模型中还可以包括对所述多个特性参数中的至少一部分进行调节的可配置系数。进一步而言，特性参数可以用以描述MOS器件的特性，所述MOS器件的特性包括但不限于阈值电压、饱和电流、线性电流等。例如，阈值电压特性参数可以是描述MOS器件中各类阈值电压相关的参数。具体而言，第一边角模型中的多个特性参数可以用以描述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角。在现有技术的MOS器件边角模型中，对于慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角，其对应的多个特性参数通常采用经验值进行配置；导致用户在使用现有技术的MOS器件边角模型时，不能对该多个特性参数进行调节。而本实施例中，在步骤S101提供的MOS器件边角模型中，设置可配置系数。进一步而言，该可配置系数可以是变量参数。在步骤S102中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS器件的仿真方法，其特征在于，包括：提供MOS器件边角模型，所述MOS器件边角模型包括用以描述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角的第一边角模型，所述第一边角模型中包括多个特性参数，所述第一边角模型中还包括对所述多个特性参数中的至少一部分进行调节的可配置系数；确定对所述可配置系数的配置；基于配置后的可配置系数，使用所述MOS器件边角模型进行仿真。

【技术特征摘要】
1.一种MOS器件的仿真方法，其特征在于，包括：提供MOS器件边角模型，所述MOS器件边角模型包括用以描述慢NMOS快PMOS工艺角和快NMOS慢PMOS工艺角的第一边角模型，所述第一边角模型中包括多个特性参数，所述第一边角模型中还包括对所述多个特性参数中的至少一部分进行调节的可配置系数；确定对所述可配置系数的配置；基于配置后的可配置系数，使用所述MOS器件边角模型进行仿真。2.根据权利要求1所述的MOS器件的仿真方法，其特征在于，所述MOS器件边角模型还包括用以描述快NMOS快PMOS工艺角和慢NMOS慢PMOS工艺角的第二边角模型；所述MOS器件边角模...

【专利技术属性】
技术研发人员：张昊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31