本发明专利技术公开了一种半导体制造装置、半导体器件制造方法、仿真装置和仿真程序。所述半导体制造装置包括腔室、传感器、粘附概率计算部、作用部和控制部。在所述腔室中能够布置晶片。传感器检测表示所述腔室内的状态的指标值。粘附概率计算部被构造为根据检测出的所述指标值的值计算粒子粘附到所述腔室的腔室壁上的粘附概率的值。作用部能够改变所述腔室中的粘附概率。控制部被构造为控制所述作用部，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为预定值。因此，通过控制粘附概率，可以将腔室壁维持在所需状态下并使蚀刻速率稳定，因而能够稳定地制造质量良好的半导体器件。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造装置、半导体器件制造方法、仿真装置和仿真程序。
技术介绍
已知在诸如干式蚀刻方法、化学气相沉积(Chemical Vapor DepositionCVD)方 法、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)方法等采用粒子(气体)的半导体 工艺中，腔室壁的状态影响蚀刻速率或沉积速率。考虑腔室壁的温度和蚀刻速率之间的相关性，日本专利特许公开No. 2002-110635 披露了用于通过反馈控制将腔室壁的温度维持在预定温度下并由此使得蚀刻特性稳定的 技术。另外，日本专利特许公开No. 2002-110635将以下内容作为腔室壁的温度影响蚀 刻速率的原因随着腔室壁温度的降低粒子在腔室壁上的粘附量增加，并且由此导致粒子 在晶片上的沉积量减少。当粒子沉积在腔室壁上并且因此使腔室壁的热容量改变时，腔室壁的温度改变。 另外，当粒子与腔室壁碰撞时，腔室壁的温度改变。因此，腔室壁的温度不必精确表示粒子 在腔室壁上的粘附度。也就是说，即使当腔室壁的温度维持在预定温度时，蚀刻速率也不必 维持在所期望的速率。
技术实现思路
期望提供能够适当考虑腔室壁的影响的半导体制造装置、半导体器件制造方法、 仿真装置和仿真程序。本专利技术的实施例提供一种半导体制造装置，所述半导体制造装置包括腔室，在所 述腔室中能够布置晶片；传感器，它检测表示所述腔室内的状态的指标值；粘附概率计算 部，它被构造为根据检测出的所述指标值的值计算粒子粘附到所述腔室的腔室壁上的粘附 概率的值；作用部，它能够改变所述腔室中的粘附概率；以及控制部，它被构造为控制所述 作用部，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为预定值。优选的是，所述半导体制造装置还包括粒子密度计算单元，它通过根据粒子密度 的微分方程进行时间发展型仿真来计算粒子密度，所述微分方程包括为多个网格壁中的各 个网格壁设定的粘附概率作为参数，所述多个网格壁是通过划分所述腔室壁而设定的；指 标值计算部，它被构造为根据计算出的粒子密度计算所述指标值；以及存储部，它被构造为 存储使粘附概率与由所述指标值计算部计算出的所述指标值保持相互关联的数据，所述指标值是根据粘附概率从由所述粒子密度计算单元计算出的粒子密度获得的；其中，所述粘 附概率计算部通过参照所述数据计算与检测出的所述指标值的值对应的粘附概率的值。优选的是，所述微分方程包括在对粒子密度进行计算的位置与所述多个网格壁中 的各个网格壁之间的距离作为参数，所述参数使得当所述参数的值减小时粒子的消失增多。优选的是，所述粒子密度计算单元计算多个网格空间中的各个网格空间的粒子密 度，所述多个网格空间是通过划分所述腔室的内部而设定的，所述指标值计算部根据所述 多个网格空间中的各个网格空间的粒子密度计算所述多个网格空间中的各个网格空间的 发光强度，并且在预定方向上将所述多个网格空间中的各个网格空间的计算出的发光强度 积分，由此所述指标值计算部计算出以所述预定方向作为视线方向的发光强度，并且所述 传感器检测所述视线方向上的发光强度。优选的是，所述作用部具有光照射部，所述光照射部被构造为用光照射所述腔室 壁，并且所述控制部控制所述光照射部的光照射量，使得由所述粘附概率计算部计算出的 粘附概率为所述预定值。优选的是，所述作用部包括挡板，它能够在覆盖所述晶片的覆盖位置与从所述 覆盖位置退回的退回位置之间运动；以及气体供给部，它能够在所述腔室内在处于所述覆 盖位置的所述挡板与所述晶片相反的一侧上供给影响粘附概率的预定气体，并且所述控制 部控制所述预定气体的供给量，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为所述预定值。优选的是，所述作用部包括挡板，它能够在覆盖所述晶片的覆盖位置与从所述覆 盖位置退回的退回位置之间运动；以及气体供给部，它能够在所述腔室内在处于所述覆盖 位置的所述挡板与所述晶片相反的一侧上供给影响粘附概率的多种气体，并且所述控制部 控制供给气体的种类，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为所述预定值。优选的是，所述作用部包括电极，它形成所述腔室壁的一部分；以及电源供给 部，它能够向所述电极施加用于产生等离子体的高频电压和用于控制粒子能量的低频电 压，并且所述控制部控制所述低频电压的电压值，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘 附概率为所述预定值。优选的是，所述作用部包括导电率改变部，它由导电率根据电压的施加而改变的 材料形成，并且形成所述腔室壁的至少一部分；以及电源供给部，它能够向所述导电率改变 部施加电压，并且所述控制部控制向所述导电率改变部施加的电压，使得由所述粘附概率 计算部计算出的粘附概率为所述预定值。优选的是，所述控制部根据检测出的所述指标值计算蚀刻速率和沉积速率二者中 的至少一者，计算当使计算出的速率为预定速率规范时的粘附概率，并且控制所述作用部， 使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为当使所述计算出的速率为所述预定速率 规范时的粘附概率。本专利技术的实施例提供一种半导体器件制造方法，所述半导体器件制造方法包括以 下步骤检测表示腔室内的状态的指标值；计算粒子粘附到所述腔室的腔室壁上的粘附概 率，所述粘附概率与检测出的所述指标值的值对应；并且控制影响粘附概率的物理量，使得 计算出的粘附概率为预定值。本专利技术的实施例提供一种仿真装置，所述仿真装置包括粘附概率设定部，它被构 造为针对多个网格壁中的各个网格壁设定粒子粘附到腔室壁上的粘附概率，所述多个网格 壁是通过划分所述腔室壁而设定的；以及粒子密度计算单元，它通过根据粒子密度的微分 方程进行时间发展型仿真来计算粒子密度，所述微分方程包括为所述多个网格壁中的各个 网格壁设定的粘附概率作为参数。优选的是，所述仿真装置还包括速率计算单元，所述速率计算单元根据计算出的 粒子密度计算蚀刻速率和沉积速率二者中的至少一者。本专利技术的实施例提供一种仿真程序，所述仿真程序使计算机起到如下部分的作 用粘附概率设定部，它被构造为针对多个网格壁中的各个网格壁设定粒子粘附到腔室壁 上的粘附概率，所述多个网格壁是通过划分所述腔室壁而设定的；以及粒子密度计算单元， 它通过根据粒子密度的微分方程进行时间发展型仿真来计算粒子密度，所述微分方程包括 为所述多个网格壁中的各个网格壁设定的粘附概率作为参数。根据本专利技术，腔室壁的作用能够得到适当考虑。附图说明图1为本专利技术第一实施例的蚀刻装置的主要部分的示意性截面图。图2为显示出图1的蚀刻装置的信号处理系统的主要部分的结构的框图。图3为示意性地显示出图2所示的仿真装置的硬件结构的框图。图4为显示出图2所示的数据库构建部和仿真部的信号处理系统的结构的框图。图5为图1中的区域V的示意图，该示意图用来帮助说明仿真的方法和条件。图6显示出代表粒子密度和蚀刻速率之间的相关性的数据的示例。图7A、图7B、图7C和图7D为用来帮助说明仿真中的计算示例的图。图8为通过图1中的蚀刻装置进行的处理过程的流程图。图9为本专利技术第二实施例的蚀刻装置的概念图。图10为本专利技术第三实施例的蚀刻装置的概念图。图IlA和图IlB为本专利技术第四实施例的蚀刻装置的概念图。图12为通过图IlA和图IlB中的蚀刻装置进行的处理过程的流程图。图13为本专利技术第五实施例的蚀刻装置的概念图。图14为本本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种半导体制造装置，所述半导体制造装置包括：腔室，在所述腔室中能够布置晶片；传感器，它检测表示所述腔室内的状态的指标值；粘附概率计算部，它被构造为根据检测出的所述指标值的值计算粒子粘附到所述腔室的腔室壁上的粘附概率的值；作用部，它能够改变所述腔室中的粘附概率；以及控制部，它被构造为控制所述作用部，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为预定值。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：久保井信行，辰巳哲也，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP
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