半导体制造装置、半导体器件制造方法及仿真装置和程序制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体制造装置、半导体器件制造方法、仿真装置和仿真程序。所述半导体制造装置包括腔室、传感器、粘附概率计算部、作用部和控制部。在所述腔室中能够布置晶片。传感器检测表示所述腔室内的状态的指标值。粘附概率计算部被构造为根据检测出的所述指标值的值计算粒子粘附到所述腔室的腔室壁上的粘附概率的值。作用部能够改变所述腔室中的粘附概率。控制部被构造为控制所述作用部，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为预定值。因此，通过控制粘附概率，可以将腔室壁维持在所需状态下并使蚀刻速率稳定，因而能够稳定地制造质量良好的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造装置、半导体器件制造方法、仿真装置和仿真程序。
技术介绍
已知在诸如干式蚀刻方法、化学气相沉积(Chemical Vapor DepositionCVD)方 法、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)方法等采用粒子(气体)的半导体 工艺中，腔室壁的状态影响蚀刻速率或沉积速率。考虑腔室壁的温度和蚀刻速率之间的相关性，日本专利特许公开No. 2002-110635 披露了用于通过反馈控制将腔室壁的温度维持在预定温度下并由此使得蚀刻特性稳定的 技术。另外，日本专利特许公开No. 2002-110635将以下内容作为腔室壁的温度影响蚀 刻速率的原因随着腔室壁温度的降低粒子在腔室壁上的粘附量增加，并且由此导致粒子 在晶片上的沉积量减少。当粒子沉积在腔室壁上并且因此使腔室壁的热容量改变时，腔室壁的温度改变。 另外，当粒子与腔室壁碰撞时，腔室壁的温度改变。因此，腔室壁的温度不必精确表示粒子 在腔室壁上的粘附度。也就是说，即使当腔室壁的温度维持在预定温度时，蚀刻速率也不必 维持在所期望的速率。
技术实现思路
期望提供能够适当考虑腔室壁的影本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体制造装置，所述半导体制造装置包括：腔室，在所述腔室中能够布置晶片；传感器，它检测表示所述腔室内的状态的指标值；粘附概率计算部，它被构造为根据检测出的所述指标值的值计算粒子粘附到所述腔室的腔室壁上的粘附概率的值；作用部，它能够改变所述腔室中的粘附概率；以及控制部，它被构造为控制所述作用部，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为预定值。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：久保井信行，辰巳哲也，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP