一种磁性器件及其制作方法技术

一种磁性器件，包括磁性材料、形成在磁性材料上的玻璃釉层、形成在玻璃釉层上的烧结银层，以及形成在烧结银层上的溅射金属化层，烧结银层是由印制在玻璃釉层上的具有预定图案的银层经500～900℃烧结后与玻璃釉层结合在一起，溅射金属化层是在烧结银层上溅射金属镍和金属锡而形成。一种磁性器件的制作方法，包括以下步骤：准备磁性材料；在磁性材料上形成玻璃釉层；在玻璃釉层上印制具有预定图案的银层，经500～900℃烧结后与玻璃釉层结合在一起，形成烧结银层；在烧结银层上溅射金属，形成溅射金属化层。通过本发明专利技术的改进，能够实现对低阻性磁性材料同高阻性铁氧体材料一样在其底部直接进行可靠、高质量的金属化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁性器件及其制作方法。
技术介绍
目前磁性器件如电感、变压器等，其电极实现方式有多种，常见的有底面一体化电极，塑胶基底电极，金属端子电极，或直接采用线材作为电极。目前底面一体金属化实现方式主要有两种：一是传统的电镀工艺。主要在磁性材料表面通过印制银浆特定图案，在进行烧结固化；然后再进行电镀作业，通过电镀金属层的方法形成一体化电极。但该工艺要求磁性材料非特定图案其他区域材料的表面电阻大于100000Ω/m，以避免发生爬镀问题；另外磁性材料在镀篮中会发生摩擦碰撞，玻璃釉在电镀时会崩缺、剥离，造成绝缘层损伤，进而造成爬镀问题。二是传统的溅射工艺。该工艺主要通过磁控溅射或离子溅射将特定金属沉积到磁性材料表面，形成特定图案。特性图案主要通过遮蔽掩膜或遮蔽治具来实现。但该方式电极剥离力主要通过溅射层和底层材料的分子间力实现，目前的溅射金属层和玻璃釉结合力较弱。总之，目前针对低阻性磁性材料器件产品常用的是外部电极，无法批量规模化自动化在磁性材料底面实现一体金属化，主要有三个技术难题：(1)烧好银后的低阻性磁性材料在局部绝缘包覆不能进行电镀处理，未包覆的表面发生爬镀；(2)玻璃釉层在传统电镀过程中由于滚动摩擦会崩缺、剥离，造成爬镀，达不到预期绝缘处理效果；(3)传统溅射方法中玻璃釉层和溅射金属层易发生摩擦碰撞剥离，界面结合力弱。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于克服现有技术的不足，提供一种磁性器件及其制作方法。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种磁性器件，包括磁性材料和形成在所述磁性材料上的玻璃釉层，还包括形成在所述玻璃釉层上的烧结银层，以及形成在所述烧结银层上的溅射金属化层，所述烧结银层是由印制在所述玻璃釉层上的具有预定图案的银层经烧结后与所述玻璃釉层结合在一起，优选地，所述银层是经500～900℃的中低温烧结而形成，所述溅射金属化层是在所述烧结银层上溅射金属镍和金属锡而形成。进一步地：所述烧结银层中含有玻璃相。所述溅射金属化层包括与所述烧结银层相接的金属镍过渡层和位于所述过渡层外侧的金属锡焊接层。所述磁性材料为表面电阻率小于1000Ω/m的低阻性磁性材料，所述玻璃釉层是表面电阻率大于100000Ω/m的绝缘玻璃。所述烧结银层和所述溅射金属化层对所述磁性材料的选定部位例如磁性材料的底部形成包覆。一种磁性器件的制作方法，包括以下步骤：准备磁性材料；在所述磁性材料上形成玻璃釉层；在所述玻璃釉层上印制具有预定图案的银层，经烧结后与所述玻璃釉层结合在一起，形成烧结银层，优选地，所述银层是经500～900℃的中低温烧结而形成；在所述烧结银层上溅射金属镍和金属锡，形成溅射金属化层。进一步地：所述烧结银层中含有玻璃相。所述溅射金属化层包括与所述烧结银层相接的金属镍过渡层和位于所述过渡层外侧的金属锡焊接层。所述磁性材料为表面电阻率小于1000Ω/m的低阻性磁性材料，所述玻璃釉层是表面电阻率大于100000Ω/m的绝缘玻璃。所述烧结银层和所述溅射金属化层对所述磁性材料的选定部位例如磁性材料的底部形成包覆。本专利技术的有益效果：通过本专利技术的改进，能够实现对低阻性磁性材料同高阻性铁氧体材料一样在其底部直接进行可靠、高质量的金属化，且便于缩短磁性器件的生产流程，实现结构尺寸利用最大化以及自动化生产。本专利技术尤其适用于低阻性磁性器件，例如磁性材料的表面电阻率小于1000Ω/m的磁性器件；本专利技术尤其适用于磁性器件部分表面进行包覆的需求。本专利技术尤其适用于单重大于0.5g以上的磁性器件。附图说明图1为本专利技术磁性器件一种实施例的结构示意图。图2为本专利技术磁性器件的制作方法一种实施例的流程图。具体实施方式以下对本专利技术的实施方式作详细说明。应该强调的是，下述说明仅仅是示例性的，而不是为了限制本专利技术的范围及其应用。如图1所示，在一种实施例中，一种磁性器件，包括磁性材料1和形成在所述磁性材料1上的玻璃釉层2，还包括形成在所述玻璃釉层2上的烧结银层3，以及形成在所述烧结银层3上的溅射金属化层4；所述烧结银层3是由印制在所述玻璃釉层2上的具有预定图案的银层经烧结后与所述玻璃釉层2结合在一起，优选地，所述银层是经500～900℃的中低温烧结而形成；所述溅射金属化层4是在所述烧结银层3上溅射金属镍和金属锡而形成。在优选的实施例中，所述烧结银层3中含有玻璃相31，从而有利于在中低温烧结时与玻璃釉层2形成良好的结合界面。在优选的实施例中，所述溅射金属化层4包括与所述烧结银层3相接的金属镍过渡层41和位于所述过渡层41外侧的金属锡焊接层42。在优选的实施例中，所述磁性材料1为表面电阻率小于1000Ω/m的低阻性磁性材料，如锰锌铁氧体或金属粉芯。在优选的实施例中，所述玻璃釉层2是表面电阻率大于100000Ω/m的一层致密的绝缘玻璃。在优选的实施例中，所述烧结银层3和所述溅射金属化层4对所述磁性材料1的选定部位例如磁性材料1的底部形成包覆。如图2所示，在一种实施例中，一种磁性器件的制作方法，包括以下步骤：准备磁性材料1；在所述磁性材料1上形成玻璃釉层2；在所述玻璃釉层2上印制具有预定图案的银层，经烧结后与所述玻璃釉层2结合在一起，形成烧结银层3，优选地，所述银层是经500～900℃的中低温烧结而形成；在所述烧结银层3上溅射金属镍和金属锡，形成溅射金属化层4。在优选的实施例中，所述烧结银层3中含有玻璃相，从而有利于在中低温烧结时与玻璃釉层2形成良好的结合界面。在优选的实施例中，所述溅射金属化层4包括与所述烧结银层3相接的金属镍过渡层41和位于所述过渡层41外侧的金属锡焊接层42。在优选的实施例中，所述磁性材料1为表面电阻率小于1000Ω/m的低阻性磁性材料。在优选的实施例中，所述玻璃釉层2是表面电阻率大于100000Ω/m的绝缘玻璃。在优选的实施例中，所述烧结银层3和所述溅射金属化层4对所述磁性材料1的选定部位例如磁性材料1的底部形成包覆。在一种具体实施例中，磁性器件的制作方法包括对磁性器件的底面进行金属化的过程，具体包括以下制作步骤：(1)低阻性磁性材料1进行表面处理，去除材料表面油污、吸附物等，保证材料表面的干燥洁净；(2)将上述半成品通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁性器件，包括磁性材料和形成在所述磁性材料上的玻璃釉层，其特征在于，还包括形成在所述玻璃釉层上的烧结银层，以及形成在所述烧结银层上的溅射金属化层；所述烧结银层是由印制在所述玻璃釉层上的具有预定图案的银层经烧结后与所述玻璃釉层结合在一起，优选地，所述银层是经500～900℃的中低温烧结而形成；所述溅射金属化层是在所述烧结银层上溅射金属镍和金属锡而形成。

【技术特征摘要】
1.一种磁性器件，包括磁性材料和形成在所述磁性材料上的玻璃釉
层，其特征在于，还包括形成在所述玻璃釉层上的烧结银层，以及形成在
所述烧结银层上的溅射金属化层；所述烧结银层是由印制在所述玻璃釉层
上的具有预定图案的银层经烧结后与所述玻璃釉层结合在一起，优选地，
所述银层是经500～900℃的中低温烧结而形成；所述溅射金属化层是在所
述烧结银层上溅射金属镍和金属锡而形成。
2.如权利要求1所述的磁性器件，其特征在于，所述烧结银层中含
有玻璃相。
3.如权利要求1所述的磁性器件，其特征在于，所述溅射金属化层
包括与所述烧结银层相接的金属镍过渡层和位于所述过渡层外侧的金属
锡焊接层。
4.如权利要求1至3任一项所述的磁性器件，其特征在于，所述磁
性材料为表面电阻率小于1000Ω/m的低阻性磁性材料，所述玻璃釉层是表
面电阻率大于100000Ω/m的绝缘玻璃。
5.如权利要求1至4任一项所述的磁性器件，其特征在于，所述烧
结银层和所述溅射金属化层对所述磁性材料的选定部位如磁性材料的底
部形...

【专利技术属性】
技术研发人员：何海根，吴锦超，沈品帆，王永杰，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44