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一种ＭｇＯ类磁性隧道结（ＭＴＪ）器件，其大体上包括铁磁性参照层、ＭｇＯ隧道势垒和铁磁性自由层。ＭｇＯ隧道势垒的微结构是无定形或具有不良（００１）面外织构的微晶，所述ＭｇＯ隧道势垒是通过其后为氧化处理的金属Ｍｇ沉积或反应性溅射制备的。在本发明...
该专利属于佳能安内华股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佳能安内华股份有限公司授权不得商用。

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