用于提高光刻胶附着的无定形碳层制造技术

一种改进的新型半导体器件（１０），包括无定形碳层（１４），用于提高光刻胶的附着；以及制造方法。该器件包括具有表面（１３）的衬底（１２）、形成在衬底表面上的碳层（１４），以及形成在碳层表面上的抗蚀剂层（１６）。器件如下形成：提供具有表面的衬底，利用等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）或溅射在衬底表面上沉积碳层，以及在碳层表面上形成抗蚀剂层。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体工艺技术，尤其涉及包括具有改善附着质量的光刻胶层的半导体器件以及用于在衬底材料上制造包括光刻胶附着增强的器件的方法。
技术介绍
使用现有方法，光刻胶在衬底——尤其是InGaAs和InAlAs衬底上的附着非常差。结果就是光刻工艺质量的下降。已有一些尝试想要改善光刻胶材料在各种衬底材料——例如InGaAs和InAlAs表面的附着。由于使用了许多表面预处理方法，这些传统的程序无法实现完成所有必须工艺步骤所需的附着持久性。特别地，已观察到光刻胶层在显影步骤过程中或在浸入清洗溶液——例如氢氧化铵(NH4OH)溶液(10％水溶液)——中的过程中会从晶片表面剥落。该NH4OH溶液通常用来在后续工艺步骤——例如沉积和金属化——之前清洁晶片表面。最近已对表面预处理方法进行了一些尝试，努力想提高抗蚀剂附着。这些方法包括，脱水烘烤、用作薄膜夹层的i-线和DUV抗反涂层的使用、标准HMDS气相处理(vapor priming)，以及某些硅烷基有机偶联剂。然而，这些处理方法都没有充分改善附着。现有工业标准是用六甲基二硅胺烷(HMDS)气相处理晶片表面。HMDS用作预备抗蚀剂涂敷所用的硅晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体器件，包含： 衬底，具有一个表面； 碳层，形成在衬底的表面上；以及 抗蚀剂堆叠，形成在碳层的表面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2000-10-31 09/703,2081.半导体器件，包含衬底，具有一个表面；碳层，形成在衬底的表面上；以及抗蚀剂堆叠，形成在碳层的表面上。2.根据权利要求1的半导体器件，其中衬底由III-V材料形成。3.根据权利要求2的半导体器件，其中衬底由InGaAs形成。4.根据权利要求2的半导体器件，其中衬底由InAlAs形成。5.根据权利要求2的半导体器件，其中衬底由GaAs形成。6.根据权利要求1的半导体器件，其中衬底由金属形成。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴维P曼西尼，史蒂文M史密斯，道格拉斯J雷斯尼克，
申请(专利权)人：自由度半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]