温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种非挥发性存储器的制造方法，主要在于基底上依序形成底介电层、电荷陷入层、顶介电层及导体层。接着移除导体层、顶介电层、电荷陷入层、底介电层及基底的部分以形成多个沟槽。接着于沟槽中填入绝缘层以形成多个隔离结构。接着于导体层及隔离结构上形成多条...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。