制造存储器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种具有改善的擦除特性的存储器件的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上顺序形成隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层；在气体气氛下退火包括所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层的半导体衬底，使得所述阻挡氧化物层具有负的固定的氧化物电荷；在具有所述负的固定的氧化物电荷的阻挡氧化物层上形成栅电极，且蚀刻所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层来形成栅极结构；以及用掺杂剂掺杂所述半导体衬底，从而在所述栅极结构的两侧在半导体衬底中分别形成第一掺杂区和第二掺杂区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有改善的擦除特性的存储器件的制造方法，且更具体而言，涉及一种存储器件的制造方法，其中控制气氛气体和退火温度，使得阻挡氧化物层可以在形成存储器件的工艺期间保持负电压。
技术介绍
半导体存储器件的开发已经集中在增加存储容量同时增加写入和擦除速度。典型的半导体存储器阵列结构包括多个由电路连接的存储器单元，且可以被分为非易失存储器件和比如动态随机存取存储器(DRAM)的易失存储器件，在非易失存储器件中当移去电源时仍可以保持信息，而在易失存储器件中仅当施加电源时才保留信息。存储器件的信息存储容量正比于存储器件的集成密度。半导体存储器件的典型单位单元包括一个晶体管和一个电容器。近来，已经引入了具有新的操作原理的新型半导体存储器件。例如已经引入了在晶体管上形成有巨磁阻(GMR)结构和隧穿磁阻(TMR)结构的半导体存储器件以利用磁阻特性。而且，还引入了新型非易失半导体存储器件，比如利用相变材料以提供数据存储功能的相变随机存取存储器(PRAM)和具有隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层的SONOS器件。图1是典型的常规SONOS存储器件的横截面视图。参考图1，在半导体衬底10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造存储器件的方法，包括：在半导体衬底上顺序形成隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层；在气体气氛下退火包括所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层的所述半导体衬底，使得所述阻挡氧化物层具有负的固定的氧化物电荷 ；在具有所述负的固定的氧化物电荷的所述阻挡氧化物层上形成栅电极，且蚀刻所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层来形成栅极结构；以及用掺杂剂掺杂所述半导体衬底，从而在所述栅极结构的两侧在所述半导体衬底中形成第一掺杂区 和第二掺杂区。

【技术特征摘要】
KR 2005-3-21 23294/051.一种制造存储器件的方法，包括在半导体衬底上顺序形成隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层；在气体气氛下退火包括所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层的所述半导体衬底，使得所述阻挡氧化物层具有负的固定的氧化物电荷；在具有所述负的固定的氧化物电荷的所述阻挡氧化物层上形成栅电极，且蚀刻所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层来形成栅极结构；以及用掺杂剂掺杂所述半导体衬底，从而在所述栅极结构的两侧在所述半导体衬底中形成第一掺杂区和第二掺杂区。2.根据权利要求1所述的方法，其中用于退火的所述气体气氛包括选自N、O、F、Si、P、S、Cl、C、As、Se、Br、Te、I和At的一种元素。3.根据权利要求1所述的方法，其中用于退火的所述气体气氛选择O2、RuO和NH3之一。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在650℃或更高的温度下进行所述退...

【专利技术属性】
技术研发人员：田尚勋，金奎植，金桢雨，朴星昊，闵若瑟，韩祯希，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]