薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供了形状比传统情况更容易控制的圆形薄膜晶体管的制造方法，同时该方法通过诸如液滴释放方法的无掩模方法形成圆形薄膜晶体管而简化了步骤并且降低了制造时间和成本。在本发明专利技术中，通过诸如液滴释放方法的无掩模方法，在衬底的上方堆叠同心圆形薄膜来形成具有圆形电极的圆形薄膜晶体管。另外，通过诸如液滴释放方法的无掩模方法，可以通过在衬底的上方堆叠同心圆形薄膜来形成具有圆形半导体层的圆形薄膜晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有圆形电极的薄膜晶体管(TFT)(下文称作圆形薄膜晶体管(TFT))、包括圆形薄膜晶体管的半导体器件及其制造方法。应当指出半导体器件相应于在衬底上方包括薄膜晶体管的薄膜晶体管衬底、在衬底上方包括薄膜晶体管和液晶的液晶面板衬底或液晶模块衬底、在衬底上方包括薄膜晶体管和发光元件的EL(电致发光)面板衬底或EL模块衬底、用密封材料密封的在衬底上方包括薄膜晶体管和液晶的液晶面板、用密封材料密封的在衬底上方包括薄膜晶体管和发光元件的EL面板衬底、包括连接到上述面板上的FPC等的模块、包括与该FPC等的端部连接的驱动器IC的模块、以及包括通过COG方法等安装到所述面板上的驱动器IC的模块。
技术介绍
传统的薄膜晶体管使用诸如光掩模的掩模来形成，因此对于每次设计的改变都需要形成一个掩模。另外，作为主流的方法，通过在衬底的整个表面上形成薄膜来形成薄膜晶体管。举例来说，在连接电极和形成以夹住绝缘层的导线的情况中，需要在连接导线之前去除绝缘层。此外，电极、导线等的图案化需要使用掩模使抗蚀剂曝光，这就导致步骤数量增加并且效率和环境均受废液影响的问题。应当指出传统的薄膜晶体管具有每个举例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造薄膜晶体管的方法，包括：　　　　通过液滴释放方法在衬底的一部分的上方形成第一绝缘层；　　　　通过液滴释放方法在该第一绝缘层的上方形成第一液体排斥层；　　　　通过液滴释放方法在衬底的一部分的上方形成与第一绝缘层接触的第一导电层；　　　　通过液滴释放方法在该第一液体排斥层和第一导电层的一部分的上方形成第二液体排斥层；　　　　通过液滴释放方法在该第一导电层和衬底的上方形成与该第二液体排斥层接触的第二绝缘层；　　　　去除该第一液体排斥层和该第二液体排斥层，并且在该第一绝缘层的一部分的上方形成第三液体排斥层；　　　　在该第一导电层和该第二绝缘层的一部分的上方形成与该第一绝缘层和该第三液体排斥层接...

【技术特征摘要】
JP 2005-5-20 2005-1476601.一种制造薄膜晶体管的方法，包括通过液滴释放方法在衬底的一部分的上方形成第一绝缘层；通过液滴释放方法在该第一绝缘层的上方形成第一液体排斥层；通过液滴释放方法在衬底的一部分的上方形成与第一绝缘层接触的第一导电层；通过液滴释放方法在该第一液体排斥层和第一导电层的一部分的上方形成第二液体排斥层；通过液滴释放方法在该第一导电层和衬底的上方形成与该第二液体排斥层接触的第二绝缘层；去除该第一液体排斥层和该第二液体排斥层，并且在该第一绝缘层的一部分的上方形成第三液体排斥层；在该第一导电层和该第二绝缘层的一部分的上方形成与该第一绝缘层和该第三液体排斥层接触的第二导电层；去除该第三液体排斥层，并且通过液滴释放方法在该第一绝缘层、该第二导电层和该第二绝缘层的上方形成第三绝缘层；在该第三绝缘层的上方形成第一半导体层；在该第一半导体层的上方形成赋予一种导电类型的第二半导体层；通过液滴释放方法在该第二半导体层的一部分的上方形成第一掩模；通过使用该第一掩模蚀刻该第一半导体层和该第二半导体层而形成第三半导体层和第四半导体层；去除第一掩模，并且在该第四半导体层的一部分的上方形成第三导电层；在该第三导电层和第四半导体层的一部分的上方形成第四液体排斥层；通过液滴释放方法在该第四半导体层和第三绝缘层的一部分的上方形成与该第三半导体层和第四液体排斥层接触的第四导电层；通过液滴释放方法在第三绝缘层的一部分的上方形成与第四导电层接触的第五导电层；去除第四液体排斥层，并且通过使用第三导电层和第四导电层作为掩模蚀刻第三半导体层和第四半导体层的一部分，形成第五半导体层和第六半导体层；通过液滴释放方法在第三导电层的上方形成第五液体排斥层；通过液滴释放方法在第三绝缘层、第四导电层、第五导电层和第五半导体层的上方形成与第五液体排斥层接触的第四绝缘层；以及去除第五液体排斥层，并且通过液滴释放方法形成与第三导电层和第四绝缘层接触的第六导电层。2.一种制造薄膜晶体管的方法，包括通过液滴释放方法在衬底的一部分的上方形成第一绝缘层；通过液滴释放方法在该第一绝缘层的上方形成第一液体排斥层；通过液滴释放方法在衬底的上方形成与第一绝缘层接触的第一导电层；通过液滴释放方法在该第一液体排斥层和第一导电层的一部分的上方形成第二液体排斥层；通过液滴释放方法在该第一导电层和衬底的上方形成与该第二液体排斥层接触的第二绝缘层；去除该第一液体排斥层和该第二液体排斥层，并且在该第一绝缘层的一部分的上方形成第三液体排斥层；在该第一导电层和该第二绝缘层的一部分的上方形成与该第一绝缘层和该第三液体排斥层接触的第二导电层；去除该第三液体排斥层，并且通过液滴释放方法在该第一绝缘层、该第二导电层和该第二绝缘层的上方形成第三绝缘层；在该第三绝缘层的上方形成第一半导体层；在该第一半导体层的上方形成赋予一种导电类型的第二半导体层；通过液滴释放方法在该第二半导体层的一部分的上方形成第一掩模；通过使用该第一掩模蚀刻该第一半导体层和该第二半导体层而形成第三半导体层和第四半导体层；去除第一掩模，并且通过液滴释放方法在该第四半导体层的一部分的上方形成第二掩模；通过液滴释放方法在该第二掩模和第四半导体层的一部分的上方形成第四液体排斥层；通过液滴释放方法在该第四半导体层和第三绝缘层的一部分的上方形成与该第三半导体层和第四液体排斥层接触的第三导电层；通过液滴释放方法在第三绝缘层的一部分的上方形成与第三导电层接触的第四导电层；去除第四液体排斥层，并且通过使用第二掩模和第三导电层作为掩模蚀刻第三半导体层和第四半导体层的一部分，形成第五半导体层和第六半导体层；通过液滴释放方法在第二掩模的上方形成第五液体排斥层；通过液滴释放方法在第三绝缘层、第三导电层、第四导电层和第五半导体层的上方形成与第五液体排斥层接触的第四绝缘层；以及去除第五液体排斥层和第二掩模，并且通过液滴释放方法形成与第六半导体层和第四绝缘层接触的第五导电层。3.一种制造薄膜晶体管的方法，包括通过液滴释放方法在衬底的一部分的上方形成第一绝缘层；通过液滴释放方法在该第一绝缘层的上方形成第一液体排斥层；通过液滴释放方法在衬底的一部分的上方形成与第一绝缘层接触的第一导电层；通过液滴释放方法在该第一液体排斥层和第一导电层的上方形成第二液体排斥层；通过液滴释放方法在该第一导电层和衬底的上方形成与该第二液体排斥层接触的第二绝缘层；去除该第一液体排斥层和该第二液体排斥层，并且在该第一绝缘层的一部分的上方形成第三液体排斥层；在该第一导电层和该第二绝缘层的一部分的上方形成与该第一绝缘层和该第三液体排斥层接触的第二导电层；去除该第三液体排斥层，并且通过液滴释放方法在该第一绝缘层、该第二导电层和该第二绝缘层的上方形成第三绝缘层；在该第三绝缘层的上方形成第一半导体层；通过液滴释放方法在该第一半导体层的一部分的上方形成第一掩模；通过使用该第一掩模蚀刻该第一半导体层形成第二半导体层；去除第一掩模，并且通过液滴释放方法在该第二半导体层的一部分的上方形成第四液体排斥层；通过液滴释放方法在该第二半导体层的一部分的上方形成与第四液体排斥层接触的第二掩模；去除第四液体排斥层，并且通过该第二掩模向第二半导体层中添加具有一种导电类型的杂质而在第二半导体层的一部分的上方形成第三半导体层；去除该第二掩模，并且通过液滴释放方法在该第三半导体层的一部分的上方形成第三导电层；通过液滴释放方法在第二半导体层、第三半导体层的一部分和第三导电层的上方形成第五液体排斥层；通过液滴释放方法在第三半导体层和第三绝缘层的一部分的上方形成与第五液体排斥层接触的第四导电层；通过液滴释放方法在第三绝缘层的上方形成与第四导电层接触的第五导电层；去除第五液体排斥层，并且通过液滴释放方法在第三导电层的上方形成第六液体排斥层；通过液滴释放方法在第三绝缘层、第二半导体层、第三半导体层、第四导电层和第五导电层的上方形成与第六液体排斥层接触的第四绝缘层；以及去除第六液体排斥层，并且通过液滴释放方法在第三导电层的上方形成与第四绝缘层接触的第六导电层。4.一种制造薄膜晶体管的方法，包括通过液滴释放方法在衬底的一部分的上方形成第一绝缘层；通过液滴释放方法在该第一绝缘层的上方形成第一液体排斥层；通过液滴释放方法在衬底的一部分的上方形成与第一绝缘层接触的第一导电层；通过液滴释放方法在该第一液体排斥层和第一导电层的一部分的上方形成第二液体排斥层；通过液滴释放方法在该第一导电层和衬底的上方形成与该第二液体排斥层接触的第二绝缘层；去除该第一液体排斥层和该第二液体排斥层，并且在该第一绝缘层的上方形成第三液体排斥层；在该第一导电层和该第二绝缘层的一部分的上方形成与该第一绝缘层和该第三液体排斥层接触的第二导电层；去除该第三液体排斥层，并且通过液滴释放方法在该第一绝缘层、该第二导电层和该第二绝缘层的上方形成第三绝缘层；在该第三绝缘层的上方形成第一半导体层；通过液滴释放方法在该第一半导体层的一部分的上方形成第一掩模；通过使用该第一掩模蚀刻该第一半导体层形成第二半导体层；去除第一掩模，并且通过液滴释放方法在该第二半导体层的一部分的上方形成第四液体排斥层；通过液滴释放方法在该第二半导体层的一部分的上方形成与第四液体排斥层接触的第二掩模；去除第四液体排斥层，并且通过该第二掩模向第二半导体层中添加具有一种导电类型的杂质而在第二半导体层的一部分的上方形成第三半导体层；去除该第二掩模，并且通过液滴释放方法在该第二半导体层和第三半导体层的一部分的上方形成第五液体排斥层；通过液滴释放方法在第三半导体层和第三绝缘层的一部分的上方形成与第五液体排斥层接触的第三导电层；通过液滴释放方法在第三绝缘层的一部分的上方形成与第三导电层接触的第四导电层；去除第五液体排斥层，并且通过液滴释放方法在第三半导体层的上方形成第六液体排斥层；通过液滴释放方法在第三绝缘层、第二半导体层、第四导电层和第五导电层的上方形成与第六液体排斥层接触的第四绝缘层；以及去除第六液体排斥层，并且通过液滴释放方法在第三导电层的上方形成与第四绝缘层接触的第六导电层。5.一种制造薄膜晶体管的方法，包括在衬底的上方形成第一半导体层；通过液滴释放方法在该第二半导体层的一部分的上方形成第一掩模；通过液滴释放方法在该第二半导体层的一部分的上方形成第一掩模；通过使用该第一掩模蚀刻该第一半导体层和第二半导体层形成第三半导体层和第四半导体层；去除第一掩模，并且通过液滴释放方法在该第四半导体层的一部分的上方形成第一导电层；通过液滴释放方法在第一导电层和第四半导体层的一部分的上方形成第一液体排斥层；通过液滴释放方法在第四半导体层和衬底的一部分的上方形成与第三半导体层和第一液体排斥层接触的第二导电层；通过液滴释放方法在衬底的一部分的上方形成与第二导电层接触的第三导电层；去除第一液体排斥层，并且通过使用第一导电层和第二导电层作为掩模蚀刻第三半导体层和第四半导体层的一部分而形成第五半导体层和第六半导体层；通过液滴释放方法在第一导电层的上方形成第二液体排斥层；通过液滴释放方法在衬底、第二导电层和第三导电层的上方形成与第二液体排斥层接触的第一绝缘层；通过液滴释放方法在该第二液体排斥层和第一绝缘层的一部分的上方形成第三液体排斥层；通过液滴释放方法在该第一绝缘层的上方形成与该第三液体排斥层接触的第四导电层；去除第二液体排斥层和第三液体排斥层，并且通过液滴释放方法在第一导电层的一部分的上方形成第四液体排斥层、在第四导电层的一部分的上方形成第五液体排斥层；在第一绝缘层、第四导电层和第一导电层的上方形成与第四液体排斥层和第五液体排斥层接触的第二绝缘层；以及去除第四液体排斥层和第五液体排斥层，并且通过液滴释放方法形成与第一导电层接触的第五导电层而且形成与第四导电层接触的第六导电层。6.一种制造薄膜晶体管的方法，包括在衬底的上方形成第一半导体层；在该第一半导体层的上方形成第二半导体层；通过液滴释放方法在该第二半导体层的一部分的上方形成第一掩模；通过使用该第一掩模蚀刻该第一半导体层和第二半导体层形成第三半导体层和第四半导体层；去除第一掩模，并且通过液滴释放方法在该第四半导体层的一部分的上方形成第二掩模；通过液滴释放方...

【专利技术属性】
技术研发人员：广濑笃志，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]