半导体器件及其制造方法技术

一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造集成电路的方法，或者更具体地涉及包括具有矩阵结构的矩阵器件(包括电-光显示器和半导体存储器)和作为开关元件的MOS或MIS(金属-绝缘体-半导体)型场效应元件(下文一般称之为MOS型元件)的半导体电路，其特征在于它的动态工作，诸如液晶显示和动态RAM(DRAM)及其驱动电路或类似图像传感器的集成驱动电路。本专利技术特别涉及一种采用薄膜半导体元件，诸如形成于绝缘表面的薄膜半导体晶体管或类似物，如MOS型元件的器件，还涉及具有薄膜晶体管的、其有源层是用晶体硅形成的器件。
技术介绍
通常，用于薄膜器件，如薄膜绝缘栅型场效应晶体管(TFT)结晶硅半导体薄膜是用等离子CVD或热CVD方法形成的非晶硅膜在一种设备，如电炉中，在温度高于600℃经24小时以上进行结晶化的方法制备的。为了得到良好的特征，如高场迁移率和高可靠性，需要进行很多小时的热处理。然而，通常的方法存在许多问题。问题之一是其生产率低，随之而来的是产品的成本变得高。例如，若花24小时作晶体化处理时，而若每片衬底花费2分钟时间处理，厢同的时间内，必须处理720片衬底。然而一个常用的管式炉一次最多能处理50片衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成半导体膜；在半导体膜上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成第一栅电极和第二栅电极；在半导体膜中形成一对第一杂质区和一对第二杂质区；以及形成与该对第一杂质区 的一个和该对第二杂质区的一个电连接的布线，其中，该对第一杂质区的所述一个与该对第二杂质区的所述一个接触。

【技术特征摘要】
JP 1992-12-4 350545/1992;JP 1993-7-27 204775/1993;1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤在衬底上形成半导体膜；在半导体膜上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成第一栅电极和第二栅电极；在半导体膜中形成一对第一杂质区和一对第二杂质区；以及形成与该对第一杂质区的一个和该对第二杂质区的一个电连接的布线，其中，该对第一杂质区的所述一个与该对第二杂质区的所述一个接触。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，该对第一杂质区包括磷。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，该对第二杂质区包括硼。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，还包括这样的步骤在形成该对第一杂质区和该对第二杂质区之后，用激光照射半导体膜。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，还包括这样的步骤在第一栅电极和第二栅电极之上形成层间绝缘体。6.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤在衬底上形成半导体膜；为半导体膜提供金属元素；使所述的被提供了金属元素的半导体膜结晶化；在半导体膜上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成第一栅电极和第二栅电极；在半导体膜中形成一对第一杂质区和一对第二杂质区；以及形成与该对第一杂质区的一个和该对第二杂质区的一个电连接的布线，其中，该对第一杂质区的所述一个与该对第二杂质区的所述一个接触。7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，该金属元素包括镍。8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，该对第一杂质区包括磷。9.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，该对第二杂质区包括硼。10.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，还包括步骤在形成该对第一杂质区和该对第二杂质区之后，用激光照射半导体膜。11.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中该结晶化步骤是以从500℃至800℃的一个温度进行的。12.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，还包括步骤在结晶化步骤之后，将半导体膜中金属元素的浓度降低。13.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤在衬底上形成半导体膜；为半导体膜提供金属元素；使所述的被提供了金属元素的半导体膜结晶化；在半导体膜上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成第一栅电极和第二栅电极；在半导体膜中形成一对第一杂质区和一对第二杂质区；以及形成与该对第一杂质区的一个和该对第二杂质区的一个电连接的布线，其中，该对第一杂质区的所述一个与该对第二杂质区的所述一个接触，并且其中，在该对第一杂质区的另一端中和该对第二杂质区的另一端中，该金属元素处于高浓度。14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，该金属元素包括镍。15.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，该对第一杂质区包括磷。16.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，该对第二杂质区包括硼。17.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，还包括步骤在形成该对第一杂质区和该对第二杂质区之后，用激光照射半导体膜。18.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中该结晶化步骤是以从500℃至800℃的一个温度进行的。19.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，还包括步骤在结晶化步骤之后，将半导体膜中金属元素的浓度降低。20.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤在衬底上形成半导体膜；为半导体膜提供金属元素；使所述的被提供了金属元素的半导体膜结晶化；在半...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宏勇，鱼地秀贵，高山彻，福永健司，竹村保彦，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]