薄膜晶体管的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管的制作方法，包含：沉积导电层于基板上，再形成图案化掩模于导电层上，来覆盖基板上欲形成薄膜晶体管的区域，然后，移除未被该图案化掩模所覆盖的导电层区域，接下来，利用激光剥除法来定义激光孔洞于图案化掩模中，以露出部分的导电层，且激光孔洞对应于欲形成薄膜晶体管的沟道区；以及蚀刻该激光孔洞所露出的导电层，以形成漏极及源极于沟道区的两侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管阵列的制造方法，且特别是涉及一种利用激光剥离(laser ablation)的技术来简化薄膜晶体管阵列的工艺。
技术介绍
目前对于薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)的制造，多半使用五道光掩模工艺来制作。传统的五道光掩模工艺，如图1(a)所示利用物理气相沉积法，在基板100上沉积一层第一金属层，接着，以第一道光刻蚀刻去除不必要的第一层金属层区域，形成栅极120于基板100上。如图1(b)所示，依序连续沉积绝缘层140、半导体层160及欧姆接触层180于栅极120上，以第二道光掩模的光刻蚀刻工艺，在薄膜晶体管预定区域T形成半导体层160区域及欧姆接触层180区域。如图1(c)所示，利用物理气相沉积法在整个基板100镀上第二金属层，经第三道光掩模的光刻蚀刻图案化第二金属层与其下的欧姆接触层180，形成漏极200a及源极200b于薄膜晶体管预定区域T上，且漏极200a与源极200b中间露出作为沟道区的半导体层160。如图1(d)所示，沉积保护层220于包含岛状薄膜晶体管区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，包含：形成导电层于基板上；形成图案化掩模于该导电层上，以覆盖于该基板上欲形成薄膜晶体管的区域；移除未被该图案化掩模所覆盖的该导电层；用激光剥除法定义激光孔洞于该图案化掩模中，以露出部分的该导电层，且该激光孔洞对应于欲形成该薄膜晶体管的沟道区；以及蚀刻该激光孔洞所露出的该导电层，以形成漏极及源极于该沟道区的两侧。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，包含形成导电层于基板上；形成图案化掩模于该导电层上，以覆盖于该基板上欲形成薄膜晶体管的区域；移除未被该图案化掩模所覆盖的该导电层；用激光剥除法定义激光孔洞于该图案化掩模中，以露出部分的该导电层，且该激光孔洞对应于欲形成该薄膜晶体管的沟道区；以及蚀刻该激光孔洞所露出的该导电层，以形成漏极及源极于该沟道区的两侧。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，还包括在该基板上依序形成栅极、绝缘层、半导体层，其中，该绝缘层，覆盖于该栅极与该基板上，而该半导体层于该绝缘层上，且该导电层于该半导体层上。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，还包括移除未被该图案化掩模所覆盖的该半导体层。4.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其中在该半导体层及该导电层之间，还设有欧姆接触层。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，还包括移除未被该图案化掩模覆盖的该欧姆接触层。6.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，还包括蚀刻该激光孔洞所露出的该欧姆接触层。7.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：石志鸿，廖达文，林汉涂，甘丰源，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]