薄膜晶体管的制作方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管的制作方法。首先在基板表面连续形成包含第一导电层、第一绝缘层、半导体层以及含金属的牺牲层的四薄膜层，然后进行蚀刻工艺而同时图案化该四薄膜层，使第一导电层形成栅极电极。接着在基板表面形成第二绝缘层，对含金属的牺牲层进行剥离工艺，同时移除含金属的牺牲层以及第二绝缘层。然后在基板表面形成第二导电层，最后图案化第二导电层，以于半导体层之上分别形成源极与漏极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种利用剥离工艺以制作薄膜晶体管的方法。
技术介绍
随着科技发展，平面显示器已普遍应用于各种信息产品中，其中尤以薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)液晶显示器(TFT-LCD)的发展最为成熟，因其具有外型轻薄、耗电量少以及无辐射污染等特性，所以被广泛地应用在笔记型计算机(notebook)、个人数字助理(PDA)等携带式信息产品上，甚至已逐渐取代传统阴极射线管显示器。TFT-LCD主要是利用成阵列状排列的薄膜晶体管，配合适当的电容、连接垫等电子元件来驱动液晶像素，以产生丰富亮丽的影像，因此薄膜晶体管为TFT-LCD显示质量的关键元件之一。薄膜晶体管包括栅极电极、源极、漏极以及用来形成晶体管沟道的半导体层。一般现有薄膜晶体管阵列的工艺共需进行五次光刻工艺，亦即使用五道光掩模以定义出薄膜晶体管等元件的图案。然而，由于光掩模成本影响显示面板工艺成本甚巨，因此为了降低工艺成本，目前显示面板工艺已研究使用包括半透型光掩模的四道光掩模来完成薄膜晶体管阵列的制作。请参考图1至图4，图1至图4为现有使用四道光掩模制作薄膜晶体管的工艺示意图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造薄膜晶体管的方法，其包括：在基板表面连续形成四薄膜层，所述四薄膜层由下至上依序为第一导电层、第一绝缘层、半导体层以及含金属的牺牲层；进行蚀刻工艺，以同时图案化所述四薄膜层，并使所述第一导电层形成栅极电极；在所 述基板表面以及所述含金属的牺牲层表面形成第二绝缘层；对所述含金属的牺牲层进行剥离工艺，以同时移除所述含金属的牺牲层以及位于所述含金属的牺牲层上的所述第二绝缘层；在所述基板表面形成第二导电层，所述第二导电层覆盖于所述半导体层之 上；以及图案化所述第二导电层，以在所述半导体层之上分别形成源极与漏极。

【技术特征摘要】
1.一种制造薄膜晶体管的方法，其包括在基板表面连续形成四薄膜层，所述四薄膜层由下至上依序为第一导电层、第一绝缘层、半导体层以及含金属的牺牲层；进行蚀刻工艺，以同时图案化所述四薄膜层，并使所述第一导电层形成栅极电极；在所述基板表面以及所述含金属的牺牲层表面形成第二绝缘层；对所述含金属的牺牲层进行剥离工艺，以同时移除所述含金属的牺牲层以及位于所述含金属的牺牲层上的所述第二绝缘层；在所述基板表面形成第二导电层，所述第二导电层覆盖于所述半导体层之上；以及图案化所述第二导电层，以在所述半导体层之上分别形成源极与漏极。2.如权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括在形成所述含金属的牺牲层之前先形成欧姆接触层，所述欧姆接触层设于所述半导体层与所述含金属的牺牲层之间，且所述欧姆接触层及所述四薄膜层连续形成于所述基板上。3.如权利要求2所述的方法，其中所述方法在图案化所述第二导电层后，还包括图案化所述欧姆接触层。4.如权利要求1所述的方法，其中所述第二绝缘层完全覆盖所述栅极电极的侧壁。5.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属的牺牲层...

【专利技术属性】
技术研发人员：林汉涂，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]