半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术是多端口ＳＲＡＭ存储单元，其第一端口的存取晶体管Ｎ３配置于ｐ型阱ＰＷ０内，并且第二端口的存取晶体管Ｎ６配置于ｐ型阱ＰＷ１内。另外，配置在存储单元内的所有的晶体管门电路在同一方向上延伸。借此结构，可获得这样的半导体存储装置，其在多端口ＳＲＡＭ存储单元或联想存储器中具有可缩短位线且提高了制造上的偏差容限的低功率消耗型ＳＲＡＭ存储单元。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储装置，其包括具有CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor互补金属氧化物半导体)结构的SRAM(Static Random Access Memory静态随机存取存储器)的。具体地说，涉及可实现多端口存储器和联想存储器(CAMContentAddressable Memory内容寻址存储器)的高速化的存储单元的布局结构。
技术介绍
近几年，随着电子仪器的小型轻薄化，对该仪器的功能的高速化实现提出了更高的要求。此类的电子仪器中，必须装配微型计算机，而对于该微型计算机的结构，必须实现大容量高速的存储。另外，由于个人电脑的迅速普及和高性能化，为了实现高速化处理，提出了高速缓冲存储器的大容量化的要求。也就是，对用于CPU(Central Processing Unit中央处理单元)执行控制程序等时候的RAM，提出了高速化和大容量化要求。对于该RAM，一般使用DRAM(Dynamic RAM动态随机存取存储器)和SRAM，但像上述高速缓冲存储器需要高速处理的部分，通常使用SRAM。作为该SRAM存储单元的结构，由4个晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有形成有静态存储单元的存储单元区域的半导体存储装置，其特征在于，包括：第一反相器，其由第一导电型的第一驱动晶体管（Ｎ１）及第二导电型的第一负载晶体管（Ｐ１）构成；第二反相器，其由第一导电型的第二驱动晶体管（Ｎ２）及第二导电型的第二负载晶体管（Ｐ２）构成，上述第一反相器的输出端子和上述第二反相器的输入端子电连接构成第一存储节点，上述第二反相器的输出端子和上述第一反相器的输入端子电连接构成第二存储节点，其还包括：第一导电型第一存取晶体管（Ｎ３），其源极与上述第一存储节点电连接，栅极与写入用字线电连接，并且漏极与写入用位线电连接；第一导电型第二存取晶体管（Ｎ４），其源极与上述第二存储节点电连接...

【技术特征摘要】
JP 2002-4-1 98553/20021.一种具有形成有静态存储单元的存储单元区域的半导体存储装置，其特征在于，包括第一反相器，其由第一导电型的第一驱动晶体管(N1)及第二导电型的第一负载晶体管(P1)构成；第二反相器，其由第一导电型的第二驱动晶体管(N2)及第二导电型的第二负载晶体管(P2)构成，上述第一反相器的输出端子和上述第二反相器的输入端子电连接构成第一存储节点，上述第二反相器的输出端子和上述第一反相器的输入端子电连接构成第二存储节点，其还包括第一导电型第一存取晶体管(N3)，其源极与上述第一存储节点电连接，栅极与写入用字线电连接，并且漏极与写入用位线电连接；第一导电型第二存取晶体管(N4)，其源极与上述第二存储节点电连接，栅极与写入用字线电连接，并且漏极与写入用位线电连接；第一导电型第一晶体管(N5)，其栅极与上述第一存储节点电连接，源极接地；和第一导电型第二晶体管(N6)，其栅极与用于读出的字线电连接，漏极与读出用位线电连接，源极与上述第一晶体管(N5)的漏极电连接；上述第一存取晶体管(N3)配置于上述第一及第二负载晶体管(P1、P2)形成区域的一侧，上述第二晶体管(N6)配置于上述第一及第二负载晶体管(P1、P2)形成区域的另一侧，配置于存储单元区域内的所有晶体管的栅极都在同一方向上延伸。2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，与上述第一及第二驱动晶体管(N1，N2)中任意一个的源极电连接的第一接地线，和与上述第一晶体管(N5)的源极电连接的第二接地线分开布线。3.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，包括作为上述第一和第二负载晶体管(P1，P2)的形成区域的第一导电型区域的一侧配置的第二导电型第一区域，及在另一侧配置的第二导电型第二区域，上述第一和第二存取晶体管(N3，N4)配置于上述第一区域内，上述第一和第二晶体管(N5，N6)配置于上述第二区域内，上述写入用、及读出用位线延伸于相对上述第一导电型区域与上述第一区域的边界线及上述第一导电型区域与上述第二区域的边界线平行的方向上。4.如权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，包括通过布线，其与上述写入用、及读出用位线在同一层上的同一方向上布线，并且，与构成上述静态存储单元的元件处于非电连接状态。5.一种具有形成有静态存储单元的存储单元区域的半导体存储装置，其特征在于，包括第一反相器，其由第一导电型的第一驱动晶体管(N1)及第二导电型的第一负载晶体管(P1)构成；第二反相器，其由第一导电型的第二驱动晶体管(N2)及第二导电型的第二负载晶体管(P2)构成，上述第一反相器的输出端子和上述第二反相器的输入端子电连接构成第一存储节点，上述第二反相器的输出端子和上述第一反相器的输入端子电连接构成第二存储节点，其还包括第一导电型第一存取晶体管(N3)，其源极与上述第一存储节点电连接，栅极与写入用字线电连接，并且漏极与写入用位线电连接；第一导电型第二存取晶体管(N4)，其漏极与上述第二存储节点电连接，栅极与写入用字线电连接；第一导电型第一晶体管(N5)，其栅极与写入用字线电连接，源极接地、漏极与上述第二存取晶体管(N4)的源极电连接地；第一导电型第二晶体管(N6)，其栅极与上述第二存储节点电连接，源极接地；和第一导电型第三晶体管(N7)，其漏极与读出用位线电连接，栅极与读出用字线电连接，源极与上述第二晶体管(N6)的漏极电连接；上述第一存取晶体管(N3)、上述第二存取晶体管(N4)和上述第一晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：新居浩二，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]