The invention discloses a micro electro mechanical structure and a manufacturing method thereof. The manufacturing method of MEMS structure, comprising providing a substrate comprising a first logic element area and a micro electromechanical component, then forming a logic element in the logic element area, after fully formed a nitrogen-containing material layer covers the logic element region and MEMS devices, and then remove the part in MEMS devices in the region nitrogen to nitrogen in the material layer material layer defining at least a retreat area, after the formation of the retreat area, forming at least one dielectric layer covering the logic element region and MEMS devices, and a dielectric layer in the back area, after etching part of the dielectric layer is located in the area of MEMS components to form at least one hole through the dielectric layer, wherein the back region around the hole, finally etching the substrate to form a cavity.
【技术实现步骤摘要】
微机电结构及其制作方法
本专利技术涉及一种微机电结构及其制作方法,特别是涉及一种具有退缩区域的微机电结构及其制作方法。
技术介绍
微机电元件是一种在微小化的封装结构中所制作的微型电子机械元件,其制造的技术十分类似于制造集成电路的技术,但微机电元件与其周遭环境互动的方式则多于传统的集成电路,例如力学、光学或磁力上的互动。微机电系统元件包括加速度计、开关、电容器、感应器、麦克风等极小的电子机械元件。采用微机电技术所制造的微机电元件具有许多优点。举例来说,以微机电技术制造的微机电加速度计具有重量轻以及体积小等特性。然而传统制作工艺中,在制作微机电元件的腔室时,蚀刻剂会蚀刻掉非预定蚀刻的元件,形成不预期的空隙,并且造成元件的毁损。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种新的微机电结构的制作方法,以避免上述问题。根据本专利技术的一优选实施例,本专利技术的一种微机电结构的制作方法,包含首先提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区,接着形成一逻辑元件于逻辑元件区,之后全面形成一含氮材料层覆盖逻辑元件区和微机电元件区,然后移除位于微机电元件区内的部分的含氮材料层以在含氮材料层上定义出至少一退缩区域,在形成退缩区域之后,形成至少一介电层覆盖逻辑元件区和微机电元件区,并且介电层填入退缩区域,接续蚀刻位于微机电元件区的部分的介电层以形成至少一孔洞穿透介电层,其中退缩区域环绕孔洞,最后蚀刻基底以形成一腔室,腔室和孔洞构成微机电结构的一共振腔室。根据本专利技术的一优选实施例,一种微机电结构,包含一基底,基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区,一逻辑元件设置于逻辑元件区,一含氮材料层 ...
【技术保护点】
一种微机电结构的制作方法,包含:提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区;形成一逻辑元件于该逻辑元件区;全面形成一含氮材料层覆盖该逻辑元件区和该微机电元件区;移除位于该微机电元件区内的部分的该含氮材料层以在该含氮材料层上定义出至少一退缩区域;在形成该退缩区域之后,形成至少一介电层覆盖该逻辑元件区和该微机电元件区,并且该介电层填入该退缩区域;蚀刻位于该微机电元件区的部分的该介电层以形成至少一孔洞穿透该介电层,其中该退缩区域环绕该孔洞;以及蚀刻该基底以形成一腔室,该腔室和该孔洞构成该微机电结构的一共振腔室。
【技术特征摘要】
1.一种微机电结构的制作方法,包含:提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区;形成一逻辑元件于该逻辑元件区;全面形成一含氮材料层覆盖该逻辑元件区和该微机电元件区;移除位于该微机电元件区内的部分的该含氮材料层以在该含氮材料层上定义出至少一退缩区域;在形成该退缩区域之后,形成至少一介电层覆盖该逻辑元件区和该微机电元件区,并且该介电层填入该退缩区域;蚀刻位于该微机电元件区的部分的该介电层以形成至少一孔洞穿透该介电层,其中该退缩区域环绕该孔洞;以及蚀刻该基底以形成一腔室,该腔室和该孔洞构成该微机电结构的一共振腔室。2.如权利要求1所述的微机电结构的制作方法,其中该含氮材料层为氮化硅,该含氮材料层为一蚀刻停止层。3.如权利要求1所述的微机电结构的制作方法,其中该逻辑元件为一晶体管,该晶体管具有一多晶硅栅极电极。4.如权利要求1所述的微机电结构的制作方法,其中该孔洞具有一末端位于填入该退缩区域的该介电层中,该末端完全位于该退缩区域中。5.如权利要求4所述的微机电结构的制作方法,其中部分该退缩区域重叠该末端,并且部分该退缩区域环绕该末端。6.如权利要求1所述的微机电结构的制作方法,其中该基底为硅基底,并且该腔室是利用深反应式离子蚀刻制作工艺蚀刻该基底而形成。7.如权利要求1所述的微机电结构的制作方法,在形成该孔洞之前,还包含:形成至少一金属层间介电层和至少一金属电路于该逻辑元件区和该微机电元件区之后,蚀刻位于该微机电元件区的该金属层间介电层、该金属电路和该介电层以形成该孔洞。8.如权利要求1所述的微机电结构的制作方法,其中在该共振腔室中没有...
【专利技术属性】
技术研发人员:林梦嘉,李勇孝,陈翁宜,李世伟,刘崇显,
申请(专利权)人:联华电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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