一种体硅微机电系统MEMS结构继续正面工艺的方法技术方案

本发明专利技术公开了一种体硅微机电系统MEMS结构继续正面工艺的方法，步骤依次为，提供硅片背面已形成深槽的体硅微机电系统MEMS结构，采用光刻胶填充硅片背面的深槽，然后进行正面工艺，释放或去除牺牲层，最后干燥最终结构。本发明专利技术适用于在硅片背面体硅结构形成后仍需继续正面工艺的情况。本发明专利技术采用常规半导体设备，与半导体工艺兼容，工艺成熟易控，使用成本低，稳定性好，而且工艺操作时间短，适合大批量生产；不需要在微机电系统MEMS芯片上预留特定的吸真空区域，提高芯片面积利用率；大大降低由于正面工艺的扰动造成微机电系统MEMS的悬空结构发生破损的风险，提高成品率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种体硅微机电系统MEMS结构继续正面工艺的方法，步骤含：提供硅片背面已形成深槽的微机电系统MEMS结构，进行正面工艺，释放或去除牺牲层，干燥最终结构，其特征在于，进行正面工艺前，先采用光刻胶填充硅片背面的深槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁超，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31