温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种体硅微机电系统MEMS结构继续正面工艺的方法，步骤依次为，提供硅片背面已形成深槽的体硅微机电系统MEMS结构，采用光刻胶填充硅片背面的深槽，然后进行正面工艺，释放或去除牺牲层，最后干燥最终结构。本发明适用于在硅片背面体硅结构...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。