【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种自旋轨道转矩式(spin orbit torque)磁阻式随机存取存储器结构，特别是涉及一种以第三金属层跨接在自旋轨道转矩元件的磁阻式随机存取存储器结构。
技术介绍
1、许多现代电子装置具有电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。非易失性存储器在无电源时也能够保留所存储的数据，而易失性存储器在电源消失时失去其存储的数据。磁阻式随机存取存储器(mram)因其优于现今电子存储器的特性，在下一世代的非易失性存储器技术中极具发展潜力而备受期待。
2、磁阻式随机存取存储器并非以传统的电荷来存储位元信息，而是以磁性阻抗效果来进行数据的存储。结构上，磁阻式随机存取存储器包括一固定层(pinned layer)以及一自由层(free layer)，其中自由层是由一磁性材料所构成，而在写入操作时，经由外加的磁场，自由层即可在相反的两种磁性状态中切换，用于存储位元信息。固定层则通常是由已固定磁性状态的磁性材料所构成，而难以被外加磁场改变。
3、然而，现有的磁阻式随机存取存储器制作工艺仍有诸多缺点需要进一步改进。例如，简化磁阻式随机存取存储器的金属内连线的制作工艺。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，利用第三金属层跨接在自旋轨道转矩元件上，减少插塞的使用，以达到简化制作工艺的结果。
2、根据本专利技术的一优选实施例，一种自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构包含一字线，一第一源极/
3、为让本专利技术的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举优选实施方式，并配合所附的附图，作详细说明如下。然而如下的优选实施方式与附图仅供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制者。
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1.一种自旋轨道转矩式(Spin Orbit Torque)磁阻式随机存取存储器结构，包含：
2.如权利要求1所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中该第一导电线由插塞、第一金属垫、第一插塞以及第二金属垫由下至上堆叠而成。
3.如权利要求2所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中该存储元件的该下电极接触该第二金属垫。
4.如权利要求1所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中该第二导电线由插塞、第一金属垫、第一插塞、第二金属垫、第二插塞和该第三金属垫由下至上堆叠而成。
5.如权利要求1所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中该第一位线为读取位线，该第二位线为写入位线。
6.如权利要求5所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中在该第一位线下方设置有插塞、第一金属垫和第一插塞由下至上堆叠，该插塞接触该第一源极/漏极掺杂区，该第一插塞接触该第一位线。
7.如权利要求5所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中在该第二位线下方设置有一插塞，该插塞的末端接触该第三
8.如权利要求1所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中该存储元件还包含第一自旋轨道转矩元件和导电层，该存储元件由该下电极、该磁性隧穿结、该第一自旋轨道转矩元件、该导电层由下至上堆叠而成。
9.如权利要求1所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中该第三金属垫接触该第二自旋轨道转矩元件的末端，并且该第三金属垫由该末端延伸至覆盖该第二自旋轨道转矩元件的部分的上表面。
10.如权利要求1所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中该第一源极/漏极掺杂区、该第二源极/漏极掺杂区和夹在该第一源极/漏极掺杂区和该第二源极/漏极掺杂区之间的该字线构成第一晶体管。
11.如权利要求1所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中该第三源极/漏极掺杂区、该第四源极/漏极掺杂区和夹在该第三源极/漏极掺杂区和该第四源极/漏极掺杂区之间的该字线构成第二晶体管。
...【技术特征摘要】
1.一种自旋轨道转矩式(spin orbit torque)磁阻式随机存取存储器结构，包含：
2.如权利要求1所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中该第一导电线由插塞、第一金属垫、第一插塞以及第二金属垫由下至上堆叠而成。
3.如权利要求2所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中该存储元件的该下电极接触该第二金属垫。
4.如权利要求1所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中该第二导电线由插塞、第一金属垫、第一插塞、第二金属垫、第二插塞和该第三金属垫由下至上堆叠而成。
5.如权利要求1所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中该第一位线为读取位线，该第二位线为写入位线。
6.如权利要求5所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其中在该第一位线下方设置有插塞、第一金属垫和第一插塞由下至上堆叠，该插塞接触该第一源极/漏极掺杂区，该第一插塞接触该第一位线。
7.如权利要求5所述的自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭致玮，林宏展，邱崇益，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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