【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。
技术介绍
1、以氮化镓基材料(gan-based materials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽能隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elastic modulus)、高压电与压阻系数(high piezoelectric and piezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通讯元件等应用的元件的制作。
技术实现思路
1、本专利技术一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,hemt)的方法。首先形成一第一阻障层于一基底上，然后形成一p型半导体层于该第一阻障层上，形成一硬掩模于该p型半导体层上，图案化该硬掩模以及该p型半导体层，再形成一间隙壁于该硬掩模以及该p型半导体层旁。
2、本专利技术另一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,hemt)的方法。首先形成一第一阻障层于一基底上，然后形成一p型半导体层于该第一阻障层上，图案化该p型半导体层，再形成一间隙壁于该硬掩模以及该p型半导体层旁。
3、本专利技术又一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,he
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1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含：
3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中该硬掩模设于该P型半导体层以及该栅极电极之间。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该硬掩模包含导电材料。
5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含第二阻障层，在该第一阻障层上相邻于该间隙壁。
【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含：
3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中该硬掩模设于该p型半导体层以及该...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏荣，黄哲弘，张峻铭，徐仪珊，叶治东，黄信川，廖文荣，侯俊良，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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