【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，尤其涉及一种存储器结构及其制造方法。
技术介绍
1、目前，在一些存储器结构中，同时存在数字存储器(digital memory)与模拟存储器(analog memory)。此外，在上述存储器结构中，用于数字存储器的存储单元的隧穿介电层与用于模拟存储器的存储单元的隧穿介电层是由相同工艺形成且具有相同的厚度。然而，如何提升数字存储器的操作速度与模拟存储器的数据保存能力为持续努力的目标。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种存储器结构及其制造方法，其可提升数字存储器的操作速度与模拟存储器的数据保存能力。
2、本专利技术提出一种存储器结构，包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第一栅极、第二栅极、第一电荷存储结构与第二电荷存储结构。第一掺杂区位于衬底中。第二掺杂区位于衬底中。第一栅极位于第一掺杂区上。第二栅极位于第二掺杂区上。第一电荷存储结构位于第一栅极与第一掺杂区之间。第一电荷存储结构包括第一隧穿介电层、第一介电层与第一电荷存储层。第一隧穿介电层...
【技术保护点】
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区彼此分离。
3.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述第二隧穿介电层的厚度与所述第一隧穿介电层的厚度的比值大于1且小于或等于1.35。
4.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述第二隧穿介电层的顶部高于所述第一隧穿介电层的顶部。
5.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的存储器结构，其特征在于，所述第二隧穿介电层与所述非晶区直接接触。
7.根...
【技术特征摘要】
1.一种存储器结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区彼此分离。
3.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述第二隧穿介电层的厚度与所述第一隧穿介电层的厚度的比值大于1且小于或等于1.35。
4.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述第二隧穿介电层的顶部高于所述第一隧穿介电层的顶部。
5.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的存储器结构，其特征在于，所述第二隧穿介电层与所述非晶区直接接触。
7.根据权利要求5所述的存储器结构，其特征在于，在所述非晶区中具有掺质，且所述掺质包括iva族元素。
8.根据权利要求7所述的存储器结构，其特征在于，所述掺质包括锗。
9.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，还包括：
11.一种存储器结构的制造方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王佳文，陈建宏，黄嘉晖，周怜秀，薛仁扬，徐治旸，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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