【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体器，特别是关于一种具有垂直通道结构的半导体器件。
技术介绍
1、透过改善工艺技术、电路设计、程序设计算法和制作方法可使平面式的半导体器件缩至更小的尺寸。然而，随着半导体器件的特征尺寸逐渐接近下限，相关器件的制作方法变得极富挑战性并且高成本。现今，平面式半导体器件的发展已达瓶颈，为能解决上述平面式半导体器件的密度极限问题，具有立体结构的半导体器件已成为目前的主流发展趋势，诸如三维nand等半导体存储器件及相关制作工艺不断地改良，以在制作工艺简化的前提下维持良好的器件效能。
技术实现思路
1、为达上述目的，本技术之一实施例提供一种半导体器件。
2、第一方面，本技术提供一种半导体器件，包括衬底、第一衬垫层、第二衬垫层及连接层。所述第一衬垫层与所述第二衬垫层在垂直方向上堆叠设置在所述衬底上。所述连接层的至少部分设置在所述第一衬垫层与所述第二衬垫层之间，其中，所述第一衬垫层、所述第二衬垫层、与所述连接层中至少一个具有波浪形侧壁。
3、可选的，所述连接层包括在水平方向上依序堆叠的通道层与电介质层，其中，所述通道层电性连接所述第一衬垫层与所述第二衬垫层，并具有波浪形侧壁。
4、可选的，所述电介质层也具有波浪形侧壁。
5、可选的，所述波浪形侧壁包括多个凹部与多个端部，相邻的所述凹部与所述端部在水平方向上具有阶梯差。
6、可选的，各所述阶梯差彼此相同。
7、可选的，各所述阶梯差在所述垂直方向上由下而上逐渐增大。<...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征是，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征是，所述连接层包括在水平方向上依序堆叠的通道层与电介质层，其中，所述通道层电性连接所述第一衬垫层与所述第二衬垫层，并具有波浪形侧壁。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征是，所述电介质层也具有波浪形侧壁。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征是，所述波浪形侧壁包括多个凹部与多个端部，相邻的所述凹部与所述端部在水平方向上具有阶梯差。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征是，各所述阶梯差彼此相同。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征是，各所述阶梯差在所述垂直方向上由下而上逐渐增大。
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征是，所述通道层的厚度大于所述波浪形侧壁上的所述阶梯差。
8.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征是，还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征是，所述阻隔层包括金属氮化物层或金属氧化物层。
10.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征是，还包
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征是，所述连接层包括在水平方向上依序堆叠的电介质层与通道层，所述通道层电性连接所述第一衬垫层与所述第二衬垫层，并在垂直方向上位在所述第一衬垫层与所述第二衬垫层之间，所述通道层具有波浪形侧壁。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征是，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征是，所述连接层包括在水平方向上依序堆叠的通道层与电介质层，其中，所述通道层电性连接所述第一衬垫层与所述第二衬垫层，并具有波浪形侧壁。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征是，所述电介质层也具有波浪形侧壁。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征是，所述波浪形侧壁包括多个凹部与多个端部，相邻的所述凹部与所述端部在水平方向上具有阶梯差。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征是，各所述阶梯差彼此相同。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征是，各所述阶梯差在所述垂...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑俊义，许培育，江丽贞，张昊，陈炫彤，张许阳，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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