System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种光罩图案、光学邻近校正方法及装置制造方法及图纸_技高网

一种光罩图案、光学邻近校正方法及装置制造方法及图纸

技术编号:41126159 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-30 17:53
本发明专利技术提供了一种光学临近校正方法,包括:提供一目标版图,所述目标版图包括具有至少一拐角的图案,所述拐角包括两边;在所述拐角加入辅助版图,所述辅助版图具有一阶梯状边界;将所述辅助版图的至少部分的所述阶梯状边界合并,以获得修正图案,所述修正图案包括至少一边与所述图案的所述拐角的所述两边不平行的凸出部或凹入部;将具有所述凸出部或所述凹入部的所述修正图案输出至掩模板上。本发明专利技术通过将拐角的边先分割成多段,然后再将每段分割得到的边进行光学临近校正的方式,实现改善光罩上具有拐角的图案在曝光显影后所得到的实际图形与其目标设计值具有较大差异的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,特别涉及一种光罩图案、光学邻近校正方法、装置及计算机可读存储介质。


技术介绍

1、光学临近修正(optical proximity correction,opc)已经是半导体工艺中不可缺少的流程之一。在具有复杂掩膜图案或具有急剧变化的尺寸和线宽的图案的制造设计中,用于将设计转印至半导体晶圆的平板印刷工艺可受到邻近图案中的光的衍射的影响,导致设计图案的线宽和形状与转印后的图形存在差异,因此采用opc来修改原设计图形的形状以使转印后的图形更接近原设计图形。然而目前所使用的opc修正,在曝光显影后所得到的实际图形依然与其目标设计值具有较大差异,从而影响半导体器件的性能。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种光罩图案、光学邻近校正方法及装置,可以改善光罩上具有拐角的图案在曝光显影后所得到的实际图形与其目标设计值具有较大差异的技术问题。

2、第一方面,为了达到上述目的,本专利技术提供了一种光学临近校正方法,包括:

3、提供一目标版图,包括具有至少一拐角的图案,所述拐角包括两边;

4、在所述拐角加入辅助版图,所述辅助版图具有一阶梯状边界;

5、将所述辅助版图的至少部分的所述阶梯状边界合并,以获得修正图案,所述修正图案包括至少一边与所述图案的所述拐角的所述两边不平行的凸出部或凹入部;

6、将具有所述凸出部或所述凹入部的所述修正图案输出至掩模板上。

7、在其中一些可选示例中,在所述将具有所述凸出部或所述凹入部的修正图案输出至掩模板上之前,还包括:

8、对所述辅助版图进行设计规则检查,若所述辅助版图不符合所述设计规则检查,则将所述辅助版图进行修正。

9、在其中一些可选示例中,所述辅助版图的所述阶梯状边界包括多个第一子图案边和多个第二子图案边,各所述第一子图案边和与之相邻的所述第二子图案边所围成的拐角为直角。

10、在其中一些可选示例中,各所述第一子图案边和各所述第二子图案边的长度分别相同或不同。

11、在其中一些可选示例中,所述拐角包括凸拐角或凹拐角,所述凸拐角或凹拐角分别形成所述凸出部或凹入部。

12、在其中一些可选示例中,所述拐角包括直角。

13、在其中一些可选示例中,所述凸出部或凹入部包括至少一钝角。

14、第二方面,基于相同专利技术构思,本专利技术还提供了一种光罩图案,包括:

15、图案主体,所述图案主体至少包括第一边和第二边;

16、凸出部或凹入部,所述凸出部或凹入部至少包括与所述图案主体的所述第一边相连接的第三边、与所述图案主体的所述第二边相连接的第四边、与所述第三边相连接的第五边以及与所述第四边相连接的第六边,且所述第五边和第六边相连接;

17、其中,所述第三边和所述第五边形成的角度大于所述第五边和所述第六边形成的角度。

18、在其中一些可选示例中,所述第三边和所述第五边形成的所述角度大于90度。

19、在其中一些可选示例中,所述第五边和所述第六边形成的所述角度为90度。

20、在其中一些可选示例中,所述第三边和所述第四边的长度相同或不同。

21、在其中一些可选示例中,所述第五边和所述第六边的长度相同或不同。

22、在其中一些可选示例中,所述第三边和所述第四边平行或不平行。

23、第三方面,基于相同专利技术构思,本专利技术还提供了一种光学临近校正装置,包括:

24、图案提供模块,用于提供一目标版图,包括具有至少一拐角的图案;

25、辅助版图提供模块,用于对所述拐角提供一具有阶梯状边界的辅助版图;

26、光学临近校正模块,用于对所述目标版图进行光学临近校正,以形成在所述拐角的所述具有阶梯状边界的辅助版图;

27、设计规则检查模块,用于对所述具有阶梯状边界的辅助版图进行设计规则检查;

28、校正版图获得模块,用于若所述具有阶梯状边界的辅助版图均符合所述设计规则检查,则将所述阶梯状边界合并,以获得每一所述拐角的沿预设方向的倾斜角图案。

29、第四方面,本专利技术还提供了一种电子设备,包括处理器、通信接口、存储器和通信总线,其中,处理器,通信接口,存储器通过通信总线完成相互间的通信;

30、存储器,用于存放计算机程序;

31、处理器,用于执行存储器上所存放的程序时,实现如上所述的光学临近校正的方法步骤。

32、第五方面,本专利技术还提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的光学临近校正的方法步骤。

33、与现有技术相比,本专利技术提供的技术方案至少具有如下有益效果之一:

34、在本专利技术提供的光学临近校正方法中,包括:提供一目标版图,包括具有至少一拐角的图案,所述拐角包括两边;在所述拐角加入辅助版图,所述辅助版图具有一阶梯状边界;将所述辅助版图的至少部分的所述阶梯状边界合并,以获得修正图案,所述修正图案包括至少一边与所述图案的所述拐角的所述两边不平行的凸出部或凹入部;将具有所述凸出部或所述凹入部的所述修正图案输出至掩模板上。本专利技术在图案的拐角位置处加入具有一阶梯状边界的辅助版图,然后在将所述辅助版图的至少部分阶梯状边界进行合并,其实质即为将拐角的边先分割成多段,然后再将每段分割得到的边进行光学临近校正,从而将拐角从直角修正为向外突出的凸出部或向内凹入的凹入部,能够有效缩小图案曝光显影后所得到的实际图形与其目标设计值之间的差异,提高半导体器件的性能。

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【技术保护点】

1.一种光学临近校正方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的光学临近校正方法,其特征在于,在所述将具有所述凸出部或所述凹入部的修正图案输出至掩模板上之前,还包括:

3.如权利要求1所述的光学临近校正方法,其特征在于,所述辅助版图的所述阶梯状边界包括多个第一子图案边和多个第二子图案边,各所述第一子图案边和与之相邻的所述第二子图案边所围成的拐角为直角。

4.如权利要求3所述的光学临近校正方法,其特征在于,各所述第一子图案边和各所述第二子图案边的长度分别相同或不同。

5.如权利要求1所述的光学临近校正方法,其特征在于,所述拐角包括凸拐角或凹拐角,所述凸拐角或凹拐角分别形成所述凸出部或凹入部。

6.如权利要求1所述的光学临近校正方法,其特征在于,所述拐角包括直角。

7.如权利要求1所述的光学临近校正方法,其特征在于,所述凸出部或凹入部包括至少一钝角。

8.一种光罩图案,其特征在于,包括:

9.如权利要求8所示的光罩图案,其特征在于,所述第三边和所述第五边形成的所述角度大于90度。>

10.如权利要求9所示的光罩图案,其特征在于,所述第五边和所述第六边形成的所述角度为90度。

11.如权利要求8所示的光罩图案,其特征在于,所述第三边和所述第四边的长度相同或不同。

12.如权利要求8所示的光罩图案,其特征在于,所述第五边和所述第六边的长度相同或不同。

13.如权利要求11所示的光罩图案,其特征在于,所述第三边和所述第四边平行或不平行。

14.一种光学临近校正装置,其特征在于,包括:

15.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1~7任一项所述的光学临近校正方法的步骤。

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【技术特征摘要】

1.一种光学临近校正方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的光学临近校正方法,其特征在于,在所述将具有所述凸出部或所述凹入部的修正图案输出至掩模板上之前,还包括:

3.如权利要求1所述的光学临近校正方法,其特征在于,所述辅助版图的所述阶梯状边界包括多个第一子图案边和多个第二子图案边,各所述第一子图案边和与之相邻的所述第二子图案边所围成的拐角为直角。

4.如权利要求3所述的光学临近校正方法,其特征在于,各所述第一子图案边和各所述第二子图案边的长度分别相同或不同。

5.如权利要求1所述的光学临近校正方法,其特征在于,所述拐角包括凸拐角或凹拐角,所述凸拐角或凹拐角分别形成所述凸出部或凹入部。

6.如权利要求1所述的光学临近校正方法,其特征在于,所述拐角包括直角。

7.如权利要求1所述的光学临近校正方法,其特征在于,所述凸出部或凹入部包...

【专利技术属性】
技术研发人员:王立军李文章
申请(专利权)人:福建省晋华集成电路有限公司
类型:发明
国别省市:

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