【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻，具体而言，涉及一种基于反射式极紫外光刻胶检测装置，可用于新型极紫外光刻胶材料体系研发。
技术介绍
1、光刻技术是制造大规模集成电路芯片的重要步骤，其精密度决定芯片的制程和器件性能。光刻胶是实现精细图形加工制备集成电路的关键材料之一，是光刻工艺核心子技术之一。极紫外光刻技术是目前商用半导体制造最先进的技术。极紫外光刻胶的研发包括主体材料和配方设计、光刻胶制备和光刻胶检测等。其中极紫外光刻胶检测是实现其配方优化的重要环节。
2、随着极紫外光刻技术不断进展，光刻胶旧材料体系面临挑战。随着光刻发生空间减小到几个纳米，量子随机效应也愈专利技术显，传统聚合物化学增幅体系愈发显示其在线边缘粗糙度的不足。迫切需要对新的极紫外光刻胶材料体系进行研发。和深紫外光刻胶曝光机理不同，极紫外光刻中光刻胶曝光涉及到复杂的物理和化学过程。极紫外单个光子能量高(高达92ev)，极紫外光刻胶的感光机理不仅存在和光子的反应，还有与电子的反应。极紫外光刻技术需要在超高真空环境(10-6-10-7pa)下进行曝光，光刻胶产气会导致真空破坏、光路...
【技术保护点】
1.一种反射式极紫外光刻胶检测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反射式极紫外光刻胶检测装置，其特征在于，所述干涉光束产生模块，包括光栅或棱镜，其中，所述光栅用于获取需要的±1级光束，并遮挡不需要的0级光束；所述棱镜，用于通过改变棱镜面的数目，从而获得所需个数的干涉光。
3.根据权利要求1所述的反射式极紫外光刻胶检测装置，其特征在于，所述光刻胶曝光模块为不可变干涉周期模式，包括聚焦反射镜和供待检测光刻胶放置的光刻胶样品固定台，所述聚焦反射镜为长焦聚，从而使曝光位置远离该聚焦反射镜。
4.根据权利要求3所述的反射式极紫外...
【技术特征摘要】
1.一种反射式极紫外光刻胶检测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反射式极紫外光刻胶检测装置，其特征在于，所述干涉光束产生模块，包括光栅或棱镜，其中，所述光栅用于获取需要的±1级光束，并遮挡不需要的0级光束；所述棱镜，用于通过改变棱镜面的数目，从而获得所需个数的干涉光。
3.根据权利要求1所述的反射式极紫外光刻胶检测装置，其特征在于，所述光刻胶曝光模块为不可变干涉周期模式，包括聚焦反射镜和供待检测光刻胶放置的光刻胶样品固定台，所述聚焦反射镜为长焦聚，从而使曝光位置远离该聚焦反射镜。
4.根据权利要求3所述的反射式极紫外光刻胶检测装置，其特征在于，所述聚焦反射镜为凹面、柱面或toroidal面。
5.根据权利要求1所述的反射式极紫外光刻胶检测装置，其特征在于，所述光刻胶曝光模块为可变干涉周期模式，包括聚焦反射镜、供待检测光刻胶放置的光刻胶样品固定台以及反射镜及反射镜控制系统，所述聚焦反射镜为长焦聚，从而使曝光位置远离该聚焦反射镜，所述反射镜控制系统用于控制所述反射镜的位置，从而改变干涉光束的传播方向和干涉角，进而控制在光刻胶上获得的结构的周期。
6.根据权利要求5所述的反射式极紫外光刻胶检测装置，其特征在于，所述反射镜及反射镜控制系统包括：第一反射镜、第二反射镜、第一导轨、第二导轨、第一滑块、第二滑块、第三滑块、第一电动运动控制系统、第二电动运动控制系统、第三电动运动控制系统、第四电动运动控制系统；所...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹晶，张子怡，林楠，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：
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