【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是一种半导体装置以及其制造方法。
技术介绍
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，以下简称为dram)为一种挥发性(volatile)存储器，是许多电子产品中不可或缺的关键元件。dram由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成一阵列区，用来储存资料，而每一存储单元可由金属氧化半导体(metal oxide semiconductor，以下简称为mos)晶体管与电容(capacitor)串联组成。
2、存储单元的mos晶体管结构因产品需求和/或存储单元密度等考量而有许多不同的结构设计，故存储单元的mos晶体管结构可能与同一芯片上其他区域的晶体管结构不同，进而造成制造工艺的复杂度提高。因此，如何有效地整合存储单元与其他区域中各元件的制造工艺对于相关业界来说是非常重要的课题。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体装置以及其制造方法，借此改善接触结构与堆叠结构之间的电连接状况，从而提高半导体装置的制造合格率。
2、本专利技术一实施例提供一种半导体装置，其包括半导体衬底、第一堆叠结构以及接触结构。半导体衬底包括隔离结构以及隔离结构定义的有源结构，且有源结构包括至少一鳍状结构。第一堆叠结构设置在半导体衬底中，第一堆叠结构沿水平方向延伸跨过鳍状结构，且第一堆叠结构包括导电层、盖层以及介电盖层。导电层包括第一部分以及第二部分，第二部分的上表面在垂直方向上高于第一部分的上表面，且第二部分的
3、本专利技术一实施例提供一种半导体装置的制造方法，其包括下列步骤。提供半导体衬底，半导体衬底包括隔离结构以及隔离结构定义的有源结构，且有源结构包括至少一鳍状结构。在半导体衬底中形成堆叠结构，堆叠结构沿水平方向延伸跨过鳍状结构，且堆叠结构包括导电层、盖层以及介电盖层。导电层包括第一部分以及第二部分，第二部分的上表面在垂直方向上高于第一部分的上表面，且第二部分的上表面与隔离结构之间在垂直方向上的距离大于第一部分的上表面与隔离结构之间在垂直方向上的距离。盖层设置在导电层上，且介电盖层设置在盖层与导电层上。形成接触结构，接触结构直接接触导电层的第二部分且与堆叠结构电连接。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二部分的该上表面在该垂直方向上高于该盖层的上表面。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导电层的表面包括阶梯结构，该第一部分的该上表面以及该第二部分的该上表面分别位于该阶梯结构在该水平方向上的两个相对侧。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该接触结构直接接触该第二部分的该上表面。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该介电盖层的上表面与该导电层的该第二部分的该上表面之间在该垂直方向上的距离小于该介电盖层的该上表面与该导电层的该第一部分的该上表面之间在该垂直方向上的距离。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导电层的该第二部分的该上表面直接接触该介电盖层。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导电层的该第二部分的侧壁在该水平方向上面向该盖层，且该盖层直接接触该第二部分的该侧壁。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该介电盖层直接接触该导电层的该
9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该导电层的该第二部分的该侧壁分别与该第一部分的该上表面以及该第二部分的该上表面相连而形成阶梯结构。
10.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该盖层在该水平方向上的边缘面向该接触结构且在该垂直方向上位于该鳍状结构之上。
12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该有源结构还包括围绕该鳍状结构的周围结构，且该第一堆叠结构沿该水平方向延伸跨过该周围结构。
13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，该盖层在该水平方向上的边缘面向该接触结构且在该垂直方向上位于该周围结构之上。
14.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，该盖层在该水平方向上的边缘与该接触结构之间的距离小于该周围结构与该接触结构之间在该水平方向上的距离。
15.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
16.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成该堆叠结构的方法包括：
17.如权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该移除工艺包括：
18.如权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成该堆叠结构的该方法还包括：
19.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该接触结构直接接触该第二部分的该上表面。
20.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该盖层直接接触该导电层的该第一部分的该上表面，且该介电盖层直接接触该导电层的该第二部分的该上表面。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二部分的该上表面在该垂直方向上高于该盖层的上表面。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导电层的表面包括阶梯结构，该第一部分的该上表面以及该第二部分的该上表面分别位于该阶梯结构在该水平方向上的两个相对侧。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该接触结构直接接触该第二部分的该上表面。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该介电盖层的上表面与该导电层的该第二部分的该上表面之间在该垂直方向上的距离小于该介电盖层的该上表面与该导电层的该第一部分的该上表面之间在该垂直方向上的距离。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导电层的该第二部分的该上表面直接接触该介电盖层。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导电层的该第二部分的侧壁在该水平方向上面向该盖层，且该盖层直接接触该第二部分的该侧壁。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该介电盖层直接接触该导电层的该第二部分的该侧壁。
9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该导电层的该第二部分的该侧壁分别与该第一部分的该上表面以及该第二部分的该上表面相连而形成阶梯结构。
10.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，还包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖惠先，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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