【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
1、近年来，氧化半导体(如氧化铟镓锌)因为其低截止电流、高迁移率以及低制作成本等特性而受到关注，特别是在垂直沟道型场效应晶体管(v-fets)的应用中，如垂直沟道全环绕场型效应晶体管(channel-all-around,caa-fets)，其可作为器件的沟道层，搭配高介电常数的材料层作为栅极氧化层，可达成优异的低能耗、低操作电压等优点，适合用于更广泛的产品领域。
2、然而，在制作工艺中，氧化物半导体层容易因为破坏性的刻蚀或清洗工艺而受到损伤或污染，严重影响器件的电性与效能。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种半导体器件及其制作方法，以避免氧化物半导体层被破坏性的刻蚀、损伤或污染，使得半导体器件具备更加优良的电学性能和效能。
2、本专利技术提供一种半导体器件，包括：衬底；第一金属层与第二金属层，设置在所述衬底上；第一绝缘层，设置在所述第一金属层与所述第二金属层之间；通道结构，设置在所...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层隔离所述第一阻障层与所述衬底。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在平行于所述衬底表面的方向上，所述通道结构的最大宽度大于所述第一阻障层的最大宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，在平行于所述衬底表面的方向上，所述第一阻障层与所述第二阻障层具有不同的最大宽度。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二阻障...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层隔离所述第一阻障层与所述衬底。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在平行于所述衬底表面的方向上，所述通道结构的最大宽度大于所述第一阻障层的最大宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，在平行于所述衬底表面的方向上，所述第一阻障层与所述第二阻障层具有不同的最大宽度。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二阻障层的底部部分位于所述第一绝缘层中。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述通道结构覆盖所述第二绝缘层的上表面。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述通道结构包括依序堆叠的氧化物半导体层、金属氧化物层和金...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜逸飞，陈辉煌，林昭维，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。