【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置以及其制造方法，特别是一种包括掺杂半导体层的半导体装置以及其制造方法。
技术介绍
1、半导体集成电路的技术随着时间不断地进步成长，每个新世代制造工艺下的产品都较前一个世代具有更小且更复杂的电路设计。在各晶片区域上的功能元件因产品革新需求而必须使其数量与密度不断地提高，当然也就使得各元件几何尺寸需越来越小。由于传统的平面式(planar)金氧半导体(metal-oxide-semiconductor，mos)晶体管制造工艺难以持续微缩，故业界已提出以立体或非平面(non-planar)式晶体管元件来取代传统的平面式晶体管元件，从而缩小晶体管元件的几何尺寸和/或提高晶体管元件的操作表现。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体装置以及其制造方法，在源极结构与半导体结构之间设置掺杂半导体层，从而提高半导体装置的操作表现。
2、本专利技术一实施例提供一种半导体装置，其包括衬底、源极结构、半导体结构、栅极结构以及掺杂半导体层。源极结构设置于衬底上，半导体...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述掺杂半导体层的电阻率低于所述半导体结构的电阻率。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，源极结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述掺杂半导体层的电阻率低于所述半导体层的电阻率。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述掺杂半导体层的掺杂离子浓度高于所述半导体层的掺杂离子浓度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体结构包括：
7.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述掺杂半导体层的电阻率低于所述半导体结构的电阻率。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，源极结构包括：
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述掺杂半导体层的电阻率低于所述半导体层的电阻率。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述掺杂半导体层的掺杂离子浓度高于所述半导体层的掺杂离子浓度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体结构包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述掺杂半导体层的掺杂离子浓度高于所述沟道层的掺杂离子浓度。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述掺杂半导体层的最顶面高于所述栅极介电层的最底面或所述沟道层的最底面。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述掺杂半导体层的上表面高于...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈炫彤，蔡建成，周阳，何祥龙，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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