温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体装置以及其制造方法。半导体装置包括衬底、源极结构、半导体结构、栅极结构以及掺杂半导体层。源极结构设置于衬底上，半导体结构设置在源极结构之上，栅极结构设置在源极结构之上且围绕半导体结构。掺杂半导体层设置在源极结构与半导体...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。