【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，涉及但不限于一种存储器及其制作方法、存储器系统。
技术介绍
1、随着电子设备普及率快速提升、电子设备市场的蓬勃发展，越来越要求电子产品在具有高性能、多功能、高可靠性以及便捷性的同时要向着小型化、薄型化的方向演进。这样的需求对存储器的集成度及可靠性提出了更高的要求。
技术实现思路
1、基于此，为解决相关技术问题中的一个或多个，本公开实施例提出了一种存储器及其制作方法、存储器系统。
2、根据本公开实施例，提供了一种存储器，包括：
3、第一衬底，具有沿第一方向相对设置的第一侧和第二侧；所述第一方向为所述第一衬底厚度方向；
4、第一外围电路，设置在所述第一侧；
5、第二外围电路，设置在所述第二侧；
6、第一存储单元阵列，设置在所述第一外围电路远离所述第二外围电路的一侧，与所述第一外围电路电连接；
7、第二存储单元阵列，设置在所述第二外围电路远离所述第一外围电路的一侧，与所述第二外围电路电连接。
8、上述方案中，所述第一存储单元阵列和/或所述第二存储单元阵列包括：沿第二方向和第三方向呈阵列排布的多个第一类存储单元；每一所述第一类存储单元包括：控制晶体管和电容；其中，通过所述控制晶体管改变所述电容中存储的电荷量；所述第二方向和所述第三方向相交且均与所述第一方向垂直。
9、上述方案中，第一存储单元阵列和/或第二存储单元阵列包括：存储单元结构，所述存储单元结构包括：沿所述第一方向层叠设
10、所述第一控制晶体管的源极或漏极中之一与所述第一位线连接，源极或漏极中剩余的一个与所述电容的一个电极连接，栅极与所述第一字线连接；
11、所述第二控制晶体管的源极或漏极中之一与所述第二位线连接，源极或漏极中剩余的一个与所述电容的另一个电极连接，栅极与所述第二字线连接。
12、上述方案中，第一存储单元阵列和/或第二存储单元阵列包括：存储单元结构，所述存储单元结构包括：沿所述第一方向层叠设置的第一位线、第一控制晶体管、第一电容、第二电容、第二控制晶体管、第二位线，以及第一字线、第二字线；其中，所述第一位线、第二位线均沿所述第二方向延伸，所述第一字线、第二字线均沿所述第三方向延伸；
13、所述第一控制晶体管的源极或漏极中之一与所述第一位线连接，源极或漏极中剩余的一个与所述第一电容的一个电极连接，栅极与所述第一字线连接；
14、所述第二控制晶体管的源极或漏极中之一与所述第二位线连接，源极或漏极中剩余的一个与所述第二电容的一个电极连接，栅极与所述第二字线连接。
15、上述方案中，第一存储单元阵列和/或第二存储单元阵列包括：沿所述第一方向层叠设置的多个存储单元结构，相邻的两个存储单元结构之间共用位线。
16、上述方案中，第一存储单元阵列和/或第二存储单元阵列包括：沿所述第一方向层叠设置的第一电容、第一控制晶体管、位线、第二控制晶体管、第二电容，以及第一字线、第二字线；其中，所述位线沿所述第二方向延伸，所述第一字线、第二字线沿所述第三方向延伸；
17、所述第一控制晶体管的源极或漏极中之一与所述第一位线连接，源极或漏极中剩余的一个与所述第一电容的一个电极连接，栅极与所述第一字线连接；
18、所述第二控制晶体管的源极或漏极中之一与所述位线连接，源极或漏极中剩余的一个与所述第二电容的一个电极连接，栅极与所述第二字线连接。
19、上述方案中，所述第一存储单元阵列和/或所述第二存储单元阵列包括：沿第二方向和第三方向呈阵列排布的多个第二类存储单元；每一所述第二类存储单元包括：读取晶体管和写入晶体管；其中，通过所述写入晶体管改变所述读取晶体管的源极和漏极之间的阻态；所述第二方向和所述第三方向相交且均与所述第一方向垂直。
20、上述方案中，所述第一存储单元阵列和/或所述第二存储单元阵列包括：沿所述第一方向层叠设置的读取字线、读取晶体管、写入晶体管、写入字线以及读取位线、写入位线；其中，所述读取字线、写入位线均沿所述第二方向延伸、所述写入字线、读取位线均沿所述第三方向延伸；
21、所述读取晶体管的源极或漏极中之一与所述读取字线连接，源极或漏极中剩余的一个与所述读取位线连接；
22、所述写入晶体管的源极或漏极中之一与所述读取晶体管的栅极连接，源极或漏极中剩余的一个与所述写入位线连接，栅极与所述写入栅极连接。
23、上述方案中，所述存储器还包括：
24、一个或多个第一互连层，位于所述第一外围电路和所述第一存储单元阵列之间；所述第一外围电路通过所述一个或多个第一互连层与所述第一存储单元阵列电连接；
25、一个或多个第二互连层，位于所述第二外围电路和所述第二存储单元阵列之间；所述第二外围电路通过所述一个或多个第二互连层与所述第二存储单元阵列电连接。
26、上述方案中，所述存储器还包括：
27、多个第一导电柱；所述第一存储单元阵列及所述第一外围电路均通过所述多个第一导电柱与所述一个或多个第一互连层电连接；
28、多个第二导电柱；所述第二存储单元阵列及所述第二外围电路均通过所述多个第二导电柱与所述一个或多个第二互连层电连接。
29、上述方案中，所述第一外围电路和/或所述第二外围电路包括：
30、位于所述第一衬底的第一侧和/或第二侧表面的脊结构，其中，所述脊结构之间具有隔离结构；以及
31、位于所述脊结构上的晶体管，所述晶体管源、漏两端均与相应侧的存储单元阵列连接。
32、上述方案中，所述存储器还包括：
33、第二衬底，设置在第一存储单元阵列远离所述第一外围电路的一侧；
34、第三衬底，设置在第二存储单元阵列远离所述第二外围电路的一侧。
35、根据本公开实施例，提供了一种存储器系统，包括：如本公开上述实施例中所述的存储器；以及
36、存储器控制器，与所述存储器连接，且用于控制所述存储器。
37、根据本公开实施例，提供了一种存储器的制作方法，所述方法包括：
38、在第一衬底的第一侧形成第一外围电路；
39、在所述第一外围电路上形成与所述第一外围电路连接的第一存储单元阵列；
40、在所述第一衬底的第二侧形成第二外围电路；所述第一侧和所述第二侧沿所述第一衬底厚度方向相对设置；
41、在所述第二外围电路远离所述第一外围电路的一侧形成与所述第二外围电路连接的第二存储单元阵列。
42、根据本公开实施例，提供了一种存储器的制作方法，所述方法包括：
43、在第一衬底的第一侧形成第一外围电路；
44、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一存储单元阵列和/或所述第二存储单元阵列包括：沿第二方向和第三方向呈阵列排布的多个第一类存储单元；每一所述第一类存储单元包括：控制晶体管和电容；其中，通过所述控制晶体管改变所述电容中存储的电荷量；所述第二方向和所述第三方向相交且均与所述第一方向垂直。
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，第一存储单元阵列和/或第二存储单元阵列包括：存储单元结构，所述存储单元结构包括：沿所述第一方向层叠设置的第一位线、第一控制晶体管、电容、第二控制晶体管、第二位线，以及第一字线、第二字线；其中，所述第一位线、第二位线均沿所述第二方向延伸，所述第一字线、第二字线均沿所述第三方向延伸；
4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，第一存储单元阵列和/或第二存储单元阵列包括：存储单元结构，所述存储单元结构包括：沿所述第一方向层叠设置的第一位线、第一控制晶体管、第一电容、第二电容、第二控制晶体管、第二位线，以及第一字线、第二字线；其中，所述第一位线、第二位线均沿所述第二方向延伸，
5.根据权利要求3或4所述的存储器，其特征在于，第一存储单元阵列和/或第二存储单元阵列包括：沿所述第一方向层叠设置的多个存储单元结构，相邻的两个存储单元结构之间共用位线。
6.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，第一存储单元阵列和/或第二存储单元阵列包括：沿所述第一方向层叠设置的第一电容、第一控制晶体管、位线、第二控制晶体管、第二电容，以及第一字线、第二字线；其中，所述位线沿所述第二方向延伸，所述第一字线、第二字线沿所述第三方向延伸；
7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一存储单元阵列和/或所述第二存储单元阵列包括：沿第二方向和第三方向呈阵列排布的多个第二类存储单元；每一所述第二类存储单元包括：读取晶体管和写入晶体管；其中，通过所述写入晶体管改变所述读取晶体管的源极和漏极之间的阻态；所述第二方向和所述第三方向相交且均与所述第一方向垂直。
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述第一存储单元阵列和/或所述第二存储单元阵列包括：沿所述第一方向层叠设置的读取字线、读取晶体管、写入晶体管、写入字线以及读取位线、写入位线；其中，所述读取字线、写入位线均沿所述第二方向延伸、所述写入字线、读取位线均沿所述第三方向延伸；
9.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：多个第一导电柱；所述第一存储单元阵列及所述第一外围电路均通过所述多个第一导电柱与所述一个或多个第一互连层电连接；
11.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，位于所述第一衬底的第一侧和/或第二侧表面的脊结构，其中，所述脊结构之间具有隔离结构；以及
12.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：
13.一种存储器系统，其特征在于，包括：如权利要求1-12所述的存储器；以及
14.一种存储器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
15.一种存储器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
16.根据权利要求14或15所述的存储器的制作方法，其特征在于，形成所述第一外围电路/第二外围电路的方法包括：
17.根据权利要求14或15所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
18.根据权利要求17所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一存储单元阵列和/或所述第二存储单元阵列包括：沿第二方向和第三方向呈阵列排布的多个第一类存储单元；每一所述第一类存储单元包括：控制晶体管和电容；其中，通过所述控制晶体管改变所述电容中存储的电荷量；所述第二方向和所述第三方向相交且均与所述第一方向垂直。
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，第一存储单元阵列和/或第二存储单元阵列包括：存储单元结构，所述存储单元结构包括：沿所述第一方向层叠设置的第一位线、第一控制晶体管、电容、第二控制晶体管、第二位线，以及第一字线、第二字线；其中，所述第一位线、第二位线均沿所述第二方向延伸，所述第一字线、第二字线均沿所述第三方向延伸；
4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，第一存储单元阵列和/或第二存储单元阵列包括：存储单元结构，所述存储单元结构包括：沿所述第一方向层叠设置的第一位线、第一控制晶体管、第一电容、第二电容、第二控制晶体管、第二位线，以及第一字线、第二字线；其中，所述第一位线、第二位线均沿所述第二方向延伸，所述第一字线、第二字线均沿所述第三方向延伸；
5.根据权利要求3或4所述的存储器，其特征在于，第一存储单元阵列和/或第二存储单元阵列包括：沿所述第一方向层叠设置的多个存储单元结构，相邻的两个存储单元结构之间共用位线。
6.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，第一存储单元阵列和/或第二存储单元阵列包括：沿所述第一方向层叠设置的第一电容、第一控制晶体管、位线、第二控制晶体管、第二电容，以及第一字线、第二字线；其中，所述位线沿所述第二方向延伸，所述第一字线、第二字线沿所述第三方向延伸；
7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一存...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵光速，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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