【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管，尤其涉及一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术。
技术介绍
1、钙钛矿发光二极管(peleds)由于其在下一代显示和照明技术中的前景而引起了广泛的兴趣。反型器件结构的peleds在红外波段已经取得了巨大的成功。在100ma cm-2的驱动电流密度下，由氧化锌电子输运层/peie绝缘层/钙钛矿层/tfb空穴输运层组成的具有倒器件结构的碘基近红外peleds具有24％以上的高外量子效率(eqe)和130小时的优良半衰期。然而，与基于碘的器件相比，基于溴的倒置peleds的eqe和操作稳定性远远落后。其主要原因在于br基钙钛矿在氧化物基体上的超快结晶和剧烈的去质子化反应对钙钛矿结构的破坏。
2、现有技术通常在氧化锌基etls和钙钛矿层之间插入超薄绝缘层(如al2o3，pvp，peie)以建立物理隔离。但是对于电致发光器件，绝缘层会严重影响电荷注入过程，绝缘层过薄不能抵御氧化锌对钙钛矿的结构破坏，过厚则会严重阻碍载流子的注入，造成器件性能的落后。因此，这给超薄绝缘层的厚度控制带来了挑战。
3、即使超薄绝缘层的厚度能够被精确控制，对于界面反应活性更加剧烈的溴基绿光反型peleds来说也是远远不够的。所以这种通过调整超薄绝缘层厚度的策略并不能够解决反型溴基绿光器件的性能落后问题，因此有待改进。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术，无需预先沉积精确厚度的绝缘层，就可制备创记录的高性能反型溴基绿光器
2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：
3、一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术，包括依次设置的ito层、锌镁氧电子传输层、钙钛矿图案发光层、空穴传输层、空穴注入层和电极；其中，所述钙钛矿图案发光层的制备步骤如下：
4、s1、前驱体溶液的配置：称取溴化铅(pbbr2)、溴化甲脒(fabr)、sfb、ba溶于溶剂n,n-二甲基甲酰胺(dmf)中，搅拌、过滤备用；
5、s2、钙钛矿薄膜制备：将步骤s1制得的钙钛矿前驱体溶液滴加到锌镁氧电子传输层上，以2000-5000转/分的转速旋涂成膜，旋涂时间为10-70秒，之后对钙钛矿薄膜进行退火处理。
6、进一步的，旋涂转速优选为4000转/分；旋涂时间优选为45秒。
7、进一步的，所述前驱体溶液中各组分的摩尔比为：
8、fabr：pbbr2：sfb：ba＝2：1：0.2:0.6。
9、进一步的，所述溴化铅(pbbr2)的浓度为0.1-0.3mmol/ml。
10、进一步的，所述步骤s1中的搅拌温度为室温到60℃之间，优选温度为室温。
11、进一步的，所述步骤s1中过滤所用滤头为0.22-0.45μm有机系滤头。
12、进一步的，所述步骤s2中的旋涂过程环境温度为20-30℃，优选为20-25℃。
13、进一步的，所述步骤s2中的退火温度为50-80℃，退火时间为4-10min。作为优选：退火温度为60度，退火时间为8分钟。
14、本专利技术的有益效果主要体现在：
15、1、本专利技术通过引入癸基磺基甜菜碱(sfb)和苄胺(ba)这两种添加剂，sfb主要通过减缓结晶速率和界面酰胺化反应速率，能够在锌镁氧etls上原位形成高质量氨基表面，促进钙钛矿的结晶，ba则催化这个原位反应的进行，同时对钙钛矿进行钝化，进而实现了高质量的钙钛矿发光层，在器件性能方面也达到了20.5％的创记录eqe和128377cd m-2的高亮度。
16、2、这种方法无需预先沉积绝缘层，而是直接在锌镁氧etls上沉积钙钛矿，且可以有效减慢界面反应和结晶速率，同时又解决了反型溴基绿光器件性能落后的问题。此方法简单易操作，除电极需要热蒸发外可实现全溶液工艺，工艺步骤少于当前反型器件通用的方法。
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1.一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术，其特征在于，包括依次设置的ITO层、锌镁氧电子传输层、钙钛矿图案发光层、空穴传输层、空穴注入层和电极；其中，所述钙钛矿图案发光层的制备步骤如下：
2.根据权利要求1所述的一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术，其特征在于，所述前驱体溶液中各组分的摩尔比为：
3.根据权利要求2所述的一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术，其特征在于，所述溴化铅(PbBr2)的浓度为0.1-0.3mmol/mL。
4.根据权利要求3所述的一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术，其特征在于，所述步骤S1中的搅拌温度为室温到60℃之间，优选温度为室温。
5.根据权利要求4所述的一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术，其特征在于，所述步骤S1中过滤所用滤头为0.22-0.45μm有机系滤头。
6.根据权利要求5所述的一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术，其特征在于，所述步骤S2中的旋涂过程环境温度为20-30℃，优选为20-25℃。
7.根据权利要求6所述的一种高性能绿光钙钛矿
...【技术特征摘要】
1.一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术，其特征在于，包括依次设置的ito层、锌镁氧电子传输层、钙钛矿图案发光层、空穴传输层、空穴注入层和电极；其中，所述钙钛矿图案发光层的制备步骤如下：
2.根据权利要求1所述的一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术，其特征在于，所述前驱体溶液中各组分的摩尔比为：
3.根据权利要求2所述的一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术，其特征在于，所述溴化铅(pbbr2)的浓度为0.1-0.3mmol/ml。
4.根据权利要求3所述的一种高性能绿光钙钛矿发光二极管的制备技术...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔翘鹏，戴兴良，何海平，叶志镇，何一帆，
申请(专利权)人：浙江大学温州研究院，
类型：发明
国别省市：
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