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本发明提供一种存储器结构及其制造方法。上述存储器结构包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区、第一栅极、第二栅极、第一电荷存储结构与第二电荷存储结构。第一掺杂区位于衬底中。第二掺杂区位于衬底中。第一栅极位于第一掺杂区上。第二栅极位于第二掺杂区上。第...
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