下载微机电元件及其制造方法的技术资料

文档序号:3196029

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本发明提供一微机电元件及其制造方法与P型沟道晶体管的制造方法。微机电元件的制造方法,是包含于半导体基底上形成一P型沟道晶体管,此方法乃通过于该基底上形成栅极结构且于基底内形成少量掺杂的源极/漏极区域。于邻近多晶硅栅极结构的相反侧壁形成氧化衬...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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