具有一平滑的磊晶层的半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术是有关于一种具有一平滑的磊晶层的半导体元件及其制造方法。该方法是藉由较高的反应气体压力形成第一层硅锗磊晶（ＳｉＧｅ）层在基材上，再以较低的反应气体压力形成第二层硅锗磊晶（ＳｉＧｅ）层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
一集成电路(IC)的形成是在一半导体基材上，藉由使用一制程生产一或多个元件(device)(例如电路组成元件(component))。随着制程和材料的改良，从几十年前半导体元件首先被引进以来这些元件的几何(geometries)在尺寸上已持续地减小。举例来说，目前的制程正在生产具有90nm或更低的几何尺寸(例如可使用制程产生的最小组成元件(或线路))的元件。然而，在元件几何的尺寸上的减小经常引进需要克服的新挑战。举例来说，随着元件几何的减小，某些表面层参数(surface layerparameters)(例如平滑性(smoothness)与一致性(consistency))可能会越来越重要。因此，所需要的是一种制造半导体元件的方法，藉以解决一些这样的挑战。由此可见，上述现有的半导体元件及其制造方法在结构、方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决半导体元件及其制造方法存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体元件的方法，其特征在于其至少包括以下步骤：使用大于３０ｔｏｒｒ的压力，形成一第一硅锗磊晶层在一硅基材上；以及使用少于３０ｔｏｒｒ的压力，形成一第二硅锗磊晶层直接地在该第一硅锗磊晶层上。

【技术特征摘要】
US 2004-10-21 10/970,3391.一种制造半导体元件的方法，其特征在于其至少包括以下步骤使用大于30torr的压力，形成一第一硅锗磊晶层在一硅基材上；以及使用少于30torr的压力，形成一第二硅锗磊晶层直接地在该第一硅锗磊晶层上。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的第一与第二硅锗磊晶层具有大约相同的锗浓度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于其中所述的第一硅锗磊晶层具有介于10％和50％之间的一锗含量。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于更包括形成一第三硅锗磊晶层在该第二硅锗磊晶层上，其中该第三硅锗磊晶层具有比该第一与第二硅锗磊晶层更高的锗浓度。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的第一硅锗磊晶层是使用介于摄氏500度和900度之间的一温度而形成。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中形成的该第一硅锗磊晶层具有介于5埃和200埃之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡邦彦，张志坚，李资良，陈世昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]