在等离子体加工系统中蚀刻时减少光致抗蚀剂变形的方法技术方案

提供了用于在蚀刻衬底上的层时显著减少光致抗蚀剂扭摆的方法。将在光致抗蚀剂掩模下面设有层的衬底置入等离子体加工室，该层在衬底上面。使蚀刻剂源气体混合物流入等离子体加工室，其中蚀刻剂源气体混合物包括氙和活性蚀刻剂，氙的流速至少是蚀刻剂源气体混合物的３５％。等离子体从蚀刻剂源气体混合物打出。用等离子体蚀刻该层，其中氙的流速减少了光致抗蚀剂的扭摆。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术一般涉及衬底制造技术，具体地说涉及用于在等离子体加工系统中蚀刻衬底时减少光致抗蚀剂变形的方法。在半导体制造中，诸如元件晶体管的器件可以形成在衬底上，例如半导体晶片或玻璃板上。在衬底上面，可设有多层，器件可以从这些层中制造。为便于理解，以下的讨论集中在氧化物蚀刻上，其中，在等离子体蚀刻机中蚀刻晶片，晶片上有光致抗蚀剂掩模，掩模下设有氧化物层。使用由包括氧、氩和氟烷和/或氢氟烷的蚀刻剂源气体产生的等离子体，未受掩模保护的氧化物层区域就被蚀刻掉，留下穿通孔、触点和/或沟槽，它们最终形成衬底上的电结构。一般来说，无论蚀刻剂源气体的组成如何，所产生的等离子体除分子和自由基外通常包括能量在毫电子伏(meV)范围内的离子和能量在电子伏(eV)范围内的电子。在等离子体蚀刻工艺中，由于离子轰击(能量较低但质量较大)和/或电子轰击(质量较低但能量高得多)的结果，光致抗蚀剂掩模会有变形，通常称为扭摆。这种变形可能仅影响光致抗蚀剂的顶面，或它可以更广泛、影响光致抗蚀剂的垂直侧壁。一旦变形开始，随着蚀刻的进展，变形的严重程度趋向增加。而且，根据蚀刻工艺中所采用的化学品，光致抗蚀剂的变形程度可各本文档来自技高网...

【技术保护点】
在有等离子体加工室在其中的等离子体加工系统中，用于在将特征蚀刻到衬底上的层中时显著减少光致抗蚀剂扭摆的方法，包括：将在光致抗蚀剂掩模下面设有所述层的所述衬底置入所述等离子体加工室，所述层在所述衬底上面；使蚀刻剂源气体混合物流 入所述等离子体加工室，其中，所述蚀刻剂源气体混合物包括氙和活性蚀刻剂，所述氙的流速至少是蚀刻剂源气体混合物的３５％，所述蚀刻剂气体源混合物还包括氩，所述氙的流速大约在所述氩和氙的流速和的５０％－９０％之间；从所述蚀刻剂源气体混合物打 出等离子体；以及用来自所述蚀刻剂源气体混合物的所述等离子体将所述特征蚀刻到所述层中，其中，所述氙...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-2-12 10/366,2011.在有等离子体加工室在其中的等离子体加工系统中，用于在将特征蚀刻到衬底上的层中时显著减少光致抗蚀剂扭摆的方法，包括将在光致抗蚀剂掩模下面设有所述层的所述衬底置入所述等离子体加工室，所述层在所述衬底上面；使蚀刻剂源气体混合物流入所述等离子体加工室，其中，所述蚀刻剂源气体混合物包括氙和活性蚀刻剂，所述氙的流速至少是蚀刻剂源气体混合物的35％，所述蚀刻剂气体源混合物还包括氩，所述氙的流速大约在所述氩和氙的流速和的50％-90％之间；从所述蚀刻剂源气体混合物打出等离子体；以及用来自所述蚀刻剂源气体混合物的所述等离子体将所述特征蚀刻到所述层中，其中，所述氙的流速减少了光致抗蚀剂的扭摆。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氙的流速低于所述蚀刻剂源气体混合物的95％。3.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：C鲁苏，M斯里尼瓦桑，
申请(专利权)人：兰姆研究有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]