【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料，尤其是涉及一种。
技术介绍
半导体发光器件具有广泛的用途。例如半导体发光二极管，可以应用于仪器工作状态指示，交通信号灯，大屏幕显示，照明等等。半导体发光器件，根据其所用衬底的电导率以及外延层设计的不同，具有同侧电极和上下电极两种结构。上下电极结构的发光器件，具有封装简单，可靠性较高等优点。图1为一种典型的上下电极结构半导体发光器件的剖面结构示意图。图中1为半导体叠层，其中依次包括一个P型层、一个发光层、一个N型层；2为N型电极；3为P型电极。图中虚线示出了该器件工作时的电流分布，向上的箭头表示器件的出光。这种器件，封装时只需要打一根线，合格率高。同时由于电极分布在两侧，抗静电能力强，可靠性高。然而如该图所示，由于器件中的半导体层一般都很薄，因此电流在横向上扩展电阻较大，容易出现电流在N型欧姆电极下面“拥挤”的现象。同时由于N型电极2不透光，该电极底下的发光被挡住，因此会有很大一部分电流对整个器件的出光没有贡献，导致器件的整体发光效率不高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以避免电流“拥挤”、改善电流扩展、提高发光效率的。本专利技...
【技术保护点】
一种半导体发光器件，包含：一个具有主面和背面的导电衬底，层叠于所述导电衬底主面之上的粘接金属层，层叠于所述粘接金属层之上的反射／欧姆金属层，层叠于所述反射／欧姆金属层之上的半导体叠层，该半导体叠层中至少包含一个Ｎ型半导体层和一个Ｐ型半导体层，层叠于所述半导体叠层之上的第一欧姆电极，层叠于所述导电衬底背面的第二欧姆电极，其特征在于：其中所述的反射／欧姆金属层具有一空缺，且该具有空缺的反射／欧姆金属层和所述的第一欧姆电极在衬底主面上的投影形状互补。
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光器件，包含一个具有主面和背面的导电衬底，层叠于所述导电衬底主面之上的粘接金属层，层叠于所述粘接金属层之上的反射/欧姆金属层，层叠于所述反射/欧姆金属层之上的半导体叠层，该半导体叠层中至少包含一个N型半导体层和一个P型半导体层，层叠于所述半导体叠层之上的第一欧姆电极，层叠于所述导电衬底背面的第二欧姆电极，其特征在于其中所述的反射/欧姆金属层具有一空缺，且该具有空缺的反射/欧姆金属层和所述的第一欧姆电极在衬底主面上的投影形状互补。2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述的反射/欧姆金属层和所述的第一欧姆电极在投影面上叠加后交叠部分的面积不大于第一欧姆电极面积的50％；所述的反射/欧姆金属层和所述的第一欧姆电极在投影面上叠加后空隙的面积不大于第一欧姆电极面积的5倍。3.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述的半导体叠层由铟镓铝氮(InxGayAl1-x-yN，0＜＝x＜＝1，0＜＝y＜＝1)材料形成，且所述的P型半导体层和N型半导体层之间中包含有一个发光层；所述的导电衬底为硅衬底。4.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述的反射/欧姆金属层的空缺中填有一种填充材料，该填充材料是一种绝缘材料或导电但不与所述半导体叠层形成欧姆接触的材料。5.如权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于所述的填充材料对所述发光器件发出的光具有高于30％的反射率。6.一种半导体发光器件，包含一个具有主面和背面的导电衬底，层叠于所述导电衬底主面之上的粘接金属层，层叠于所述粘接金属层之上的反射/欧姆金属层，层叠于所述反射/欧姆金属层之上的P型半导体层，层叠于所述P型半导体层之上的半导体发光层，层叠于所述半导体发光层之上的N型半导体层，层叠于所述N型半导体层之上的第一欧姆电极，层叠于所述导电衬底背面的第二欧姆电极，特征是其中所述的P型半导体层或半导体发光层具有一空缺，该空缺穿透P型半导体层或同时穿透P型半导体层和半导体发光层，且具有空缺的P型半导体层或半导体发光层与所述的第一欧姆电极在衬底主面上的投影形状互补。7.如权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于所述具有空缺的半导体层和所述的第一欧姆电极在投影面上叠加后交叠部分的面积不大于第一欧姆电极面积的50％；所述具有空缺的P型半导体层和所述的第一欧姆电极在投影面上叠加后空隙的面积不大于第一欧姆电极面积的5倍。8.如权利要求6所...
【专利技术属性】
技术研发人员：江风益，王立，方文卿，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：发明
国别省市：36[中国|江西]
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