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本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法。本发明的发光器件具有上下电极结构，通过使器件发光层两侧的两个欧姆电极在对应空间上形状互补或刻除挡光电极下面部分半导体层，可以减小传统上下电极发光器件中的电流拥挤现象，改善电流扩展、提高发光器件的出...
该专利属于晶能光电（江西）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶能光电（江西）有限公司授权不得商用。

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