具有预防裂痕的环状结构的半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术是有关于一种具有预防裂痕的环状结构的半导体装置及其制造方法，以避免在分割成晶粒的过程中使集成电路产生破裂及脱层的现象。本发明专利技术的破痕预防环状结构垂直延伸穿入一半导体工件，并且到达集成电路的金属层。此外，破痕预防环状结构与集成电路的测试垫制程相同，故可同时完成制程。此破痕预防环状结构内可形成一气室于集成电路的保护层下方。此气室可以金属或半填满增加预防破痕的结构强度。本发明专利技术亦于破痕预防环状结构与集成电路之间形成密封环状区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于半导体装置，且特别是有关于在半导体装置的边缘形成的环状结构，以于分割成晶粒时避免在集成电路的绝缘层中产生脱层(Delamination)以及裂痕(Cracks)的现象的一种。
技术介绍
随着半导体技术的发展，集成电路的尺寸持续地缩小化，以提高集成电路的运作效能，此效能主要指增加电路的操作速度，但也会增加集成电路的复杂度。近几年来，单位集成电路(亦称为晶片或是晶粒)的晶体管数目持续增加中。当集成电路的每个晶片只包含少量的元件时，可以容易地以单一材质层来连接这些元件。然而，当每个晶片需要容纳更多的晶体管时而且需要增加集成电路的操作速度时，将必须使用到多层内连线。在多层内连线的电路系统中，主要是由两层或是更多层共用一内连线的区域，以增加主动元件的面积，以提高功能性晶片的密度。然而在半导体制程中进行多层内连线步骤将增加制程的复杂度。传统上，在晶圆的下层区域形成主动元件(例如晶体管、二极管、电容及其他元件)。在完成主动元件的制程之后，形成多层的内连线结构，以于单一个晶圆上形成数以千计的晶粒。接着在制程步骤完成后，对每个晶粒边缘的切割道进行沏割，以使每个晶粒分离。最后对每个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于其至少包含：一工件；一覆盖于该工件的集成电路，该集成电路包括复数个电性连接至该些集成电路的金属层，且该些金属层包括一第一金属层以及至少包括位于该第一金属层上的一第二金属层，其中每一金属层位于一绝缘层 上；以及一位于该些集成电路的外部边缘的破痕预防环状结构，该破痕预防环状结构包括一导电层并且延伸至该第二金属层。

【技术特征摘要】
US 2004-7-15 10/891,9551.一种半导体装置，其特征在于其至少包含一工件；一覆盖于该工件的集成电路，该集成电路包括复数个电性连接至该些集成电路的金属层，且该些金属层包括一第一金属层以及至少包括位于该第一金属层上的一第二金属层，其中每一金属层位于一绝缘层上；以及一位于该些集成电路的外部边缘的破痕预防环状结构，该破痕预防环状结构包括一导电层并且延伸至该第二金属层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于其中所述的破痕预防环状结构至少包含填入该导电材质的沟渠。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于其中所述的沟渠的宽度介于0.3至10μm且深度介于1至8μm，且其深宽比为3∶1或是更大。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于其中所述的导电材质沿着该沟渠的表面分布。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于其中沿着该沟渠的表面分布的该导电材质层的厚度小于2000μm。6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于其中更包含位于该集成电路及该破痕预防环状结构上的一保护层，其中该保护层设有位于该保护层下方的一气室。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王屏薇，吴启明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]