集成半导体电感器及其形成方法技术

在一个实施例中，覆盖半导体衬底形成多层电感器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及电子设备，更具体地，涉及形成半导体器件和结构的方法。
技术介绍
过去，半导体工业中采用各种方法和结构来将滤波器集成到单片半导体器件上。典型地，这些滤波器仅局限于简单的包括阻性和容性元件的pi型滤波器，或者在某些情况下是包括感性和无源元件的pi型滤波器。pi型滤波器的一个例子是Phoenix Arizona的5005 East McDowell Road的ONSemiconductor销售的NUF6106。pi型滤波器通常在高于滤波器的截止频率上不能提供足够的衰减。包括有电感器的滤波器典型地是具有与pi型滤波器串联耦合的串联电感器的pi型滤波器。在公开号为US2003/0228848的美国专利申请中公开了这种滤波器的一个例子。感性滤波器典型地在高于滤波器截止频率的频率上具有过多的损耗(典型地称作插入损耗)，并且通常具有所不希望有的群延迟失真。因此，希望将滤波器集成到单片半导体器件上，其具有较低的群延迟失真，在低于截止频率处具有较低的插入损耗，并且在高于截止频率处具有较高的损耗。附图说明图1说明了根据本专利技术集成到半导体器件上的滤波器的实施例一部分的放大平面图；图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成半导体电感器，包括：半导体衬底；覆盖半导体衬底至少一部分的第一多层电感器，该第一多层电感器具有第一端子和第二端子，该第一多层电感器还具有覆盖半导体衬底该部分的第一导体、覆盖第一导体的至少一部分的第二导体、设置在第一导体和第二导体之间的第一电介质。

【技术特征摘要】
US 2005-2-11 11/055,6381.一种集成半导体电感器，包括半导体衬底；覆盖半导体衬底至少一部分的第一多层电感器，该第一多层电感器具有第一端子和第二端子，该第一多层电感器还具有覆盖半导体衬底该部分的第一导体、覆盖第一导体的至少一部分的第二导体、设置在第一导体和第二导体之间的第一电介质。2.权利要求1的集成半导体电感器，其中，第一多层电感器的电阻率不大于约每厘米5微欧姆。3.权利要求1的集成半导体电感器，进一步包括延伸通过第一电介质的第一连接，用以形成第一导体和第二导体之间的电接触。4.权利要求1的集成半导体电感器，其中，第一导体和第二导体是金属导体。5.权利要求1的集成半导体电感器，进一步包括与第一多层电感器并联耦合的第一电容器，该第一电容器具有第一端子和第二端子，第一电容器的第一端子耦合到第一多层电感器的第一端子，第一电容器的第二端子耦合到第一多层电感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：里安J赫尔利，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]