【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置及该半导体装置的制造方法,特别涉及使用薄膜晶体管的半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年来,由于因特网的普及,IT(信息技术)掺透于全世界,而带来巨大变革。特别是最近,如被称为随时随地(ubiquitous)信息社会那样,随时随地都可访问信息网络的环境的筹备逐渐完善。在这种环境中,个体识别技术崭露头角,该个体识别技术是通过给各个对象物赋予ID(个体识别号码),来明确该对象物的履历,并用于生产、管理等的技术。目前,组合了使用单晶Si衬底来制造的超小型IC芯片和无线通讯用天线的小型半导体装置(也称为RFID(射频识别技术)标签、ID标签、IC标签、无线标签、无线芯片、电子标签)引人注目。该半导体装置可以通过使用无线通讯装置(以下称为读取/写入器),而以无线方式写入数据或读取数据。作为这种半导体装置的应用领域,例如可以举出流通业中的商品管理。目前,利用条码的商品管理是主流,但是,由于条码是通过光学读取的,所以在存在屏蔽物时无法读取数据。而对于上述半导体装置而言,由于以无线方式读取数据,所以即使在存在屏蔽物时也可以读取数据。因此,能够实现商品管 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,包括: 电容部,该电容部包括分别包括多个电容元件的多个区块、第一布线、以及第二布线, 其中,所述多个电容元件的每一个包括:半导体膜,该半导体膜包括第一杂质区和中间夹着所述第一杂质区而设置的多个第二杂质区;以及导电膜,该导电膜中间夹着绝缘膜设置在所述第一杂质区上, 并且,所述导电膜与所述第一布线电连接, 并且,所述第二杂质区与所述第二布线电连接, 并且,所述多个电容元件彼此并联连接。
【技术特征摘要】
JP 2006-6-1 2006-1535481.一种半导体装置,包括电容部,该电容部包括分别包括多个电容元件的多个区块、第一布线、以及第二布线,其中,所述多个电容元件的每一个包括半导体膜,该半导体膜包括第一杂质区和中间夹着所述第一杂质区而设置的多个第二杂质区;以及导电膜,该导电膜中间夹着绝缘膜设置在所述第一杂质区上,并且,所述导电膜与所述第一布线电连接,并且,所述第二杂质区与所述第二布线电连接,并且,所述多个电容元件彼此并联连接。2.一种半导体装置,包括电容部,该电容部包括分别包括多个电容元件的多个区块、第一布线、以及第二布线,其中,所述多个电容元件的每一个包括半导体膜,该半导体膜包括第一杂质区和中间夹着所述第一杂质区而设置的多个第二杂质区;以及导电膜,该导电膜中间夹着绝缘膜设置在所述第一杂质区上,并且,设置在所述多个电容元件中的所述导电膜通过所述第一布线彼此电连接,并且,设置在所述多个电容元件中的所述第二杂质区通过所述第二布线彼此电连接。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中包含在所述第一杂质区中的杂质元素的浓度低于包含在所述第二杂质区中的杂质元素的浓度。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中所述第一布线和所述第二布线设置在相同的表面上。5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中设置在所述多个区块中的所述多个电容元件彼此并联连接。6.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中所述第一布线是使用其电阻比所述导电膜低的材料形成的。7.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中所述多个区块包括第一区块和与所述第一区块相邻的第...
【专利技术属性】
技术研发人员:热海知昭,井上广树,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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