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本发明是有关于一种具有预防裂痕的环状结构的半导体装置及其制造方法，以避免在分割成晶粒的过程中使集成电路产生破裂及脱层的现象。本发明的破痕预防环状结构垂直延伸穿入一半导体工件，并且到达集成电路的金属层。此外，破痕预防环状结构与集成电路的测试垫...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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