混合半导体结构及其制造方法技术

提供了一种混合半导体结构，它包括水平半导体器件和垂直碳纳米管晶体管，其中，垂直碳纳米管晶体管和水平半导体器件具有至少一个共用的节点。此至少一个共用的节点可以包括例如ＦＥＴ的漏、源、或栅电极或者双极晶体管的发射极、收集极、或基极。还提供了一种制造本发明专利技术混合半导体结构的方法，此混合半导体结构在垂直碳纳米管晶体管与水平半导体器件之间具有至少一个共用的节点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到半导体结构及其制造方法。更确切地说，本专利技术涉及到混合半导体结构以及混合半导体结构的制作方法，此混合半导体结构包括垂直碳纳米管晶体管和水平半导体器件，其中，碳纳米管晶体管和水平半导体器件至少具有一个共用的节点亦即端子。
技术介绍
在分子电子学领域中，有些材料显示出如碳纳米管那样有希望，它们包含直径为几个埃的石墨空心圆柱。依赖于纳米管的特性，纳米管能够被提供在诸如二极管和晶体管之类的电子器件中。纳米管的尺寸、形状、以及物理性质是独特的。例如，碳基纳米管类似于卷成圆柱的六方碳晶格。除了即使在室温下也显示出奇特的量子行为之外，纳米管还显示出至少二种重要的特性；依赖于其手形亦即共形几何形状，纳米管可以是金属性的或半导性的。金属性纳米管能够以恒定的电阻率承载极大的电流密度。半导性的纳米管能够像场效应晶体管(FET)那样在电学上被“开通”或“关断”。此二种类型可以被共价连结(亦即共用电子)。这些特性使纳米管成为形成纳米尺寸半导体电路的优异材料。碳基纳米管于是正变得对常规半导体技术的按比例缩放后至关重要。例如，为了将pFET包括在nFET、CMOS、或BiCMOS工艺中，要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混合半导体结构，它包括：至少一个水平半导体器件和至少一个垂直碳纳米管晶体管，其中，所述至少一个垂直碳纳米管晶体管和至少一个水平半导体器件具有至少一个共用的节点。

【技术特征摘要】
US 2005-1-31 10/906,0161.一种混合半导体结构，它包括至少一个水平半导体器件和至少一个垂直碳纳米管晶体管，其中，所述至少一个垂直碳纳米管晶体管和至少一个水平半导体器件具有至少一个共用的节点。2.权利要求1的混合半导体结构，其中，所述至少一个共用的节点是所述至少一个水平半导体器件的漏、源、或栅电极。3.权利要求2的混合半导体结构，其中，所述至少一个共用的节点是所述至少一个水平半导体器件的漏。4.权利要求2的混合半导体结构，其中，所述至少一个共用的节点是所述至少一个水平半导体器件的栅电极。5.权利要求2的混合半导体结构，其中，所述至少一个共用的节点包括所述至少一个水平半导体器件的漏和所述栅电极。6.权利要求1的混合半导体结构，其中，所述至少一个水平半导体器件是场效应晶体管(FET)、双极晶体管、双栅晶体管、二极管、电容器、电阻器、或它们的任何组合。7.权利要求6的混合半导体结构，其中，所述至少一个水平半导体器件是FET。8.权利要求7的混合半导体结构，其中，所述FET是pFET，且所述至少一个垂直碳纳米管晶体管是n型晶体管。9.权利要求7的混合半导体结构，其中，所述FET是nFET，且所述至少一个垂直碳纳米管晶体管是p型晶体管。10.权利要求1的混合半导体结构，其中，所述至少一个垂直碳纳米管晶体管包括至少一个碳纳米管和环绕所述至少一个碳纳米管的栅介质。11...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克E马斯特思，戴维V霍拉克，彼得H米切尔，马克C哈克，查尔斯W克伯格三世，古川俊治，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]