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提供了一种混合半导体结构，它包括水平半导体器件和垂直碳纳米管晶体管，其中，垂直碳纳米管晶体管和水平半导体器件具有至少一个共用的节点。此至少一个共用的节点可以包括例如ＦＥＴ的漏、源、或栅电极或者双极晶体管的发射极、收集极、或基极。还提供了一种...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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