【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种集成电路技术，特别有关一种连接垫结构。
技术介绍
连接垫(bonding pad)为一制作有集成电路(IC)的半导体芯片与一封装组件之间的桥接接口。在现今的高线路密度IC设计中，为了要缩小连接垫的间距与尺寸，必需大幅增加接脚(pin)与连接垫的数量，但是在接合过程中所产生的高机械应力却容易使小尺寸的连接垫产生缺陷。传统接合技术利用打线接合(wire bonding)、卷带自动接合(tapeautomated bonding，TAB)或覆晶(flip chip)等方式，将各个连接垫连接至封装组件的载置IC表面上的一个或多个接触垫上。但是，利用探针方式对IC芯片电性测试时，探针(probe pin)容易损害连接垫的软性表面。而且，传统技术将铝铜合金(AlCu)连接垫下方的铜(Cu)层暴露于空气中，有可能使铜层遭受侵蚀而产生孔洞，则孔洞会间接侵蚀连接垫而降低打线接合的可靠度。近来技术是将实心块状的铜层作为一顶部金属层以连接至上方一铝垫，但是仍发现有孔洞缺陷、打线接合容忍度过小、打线球接点举离、介电层破裂等缺点，因此目前已针对顶部铜层提出数种改良型...
【技术保护点】
一种连接垫结构，包含有：一基底，其包含有一连接区域以及一检测区域；一第一介电层，是形成于该基底上，且包含有一环状沟槽以及一相对应形成一介电层岛状结构；一第一导电层，形成于该第一介电层的该环状沟槽中；一保护层， 形成于该第一介电层上且包含有一开口，其中该开口的位置相对应于该连接区域以及该检测区域，且该开口暴露该介电层岛状结构以一部分的该第一导电层；以及一第二导电层，覆盖该保护层的开口，且电连接至该第一导电层。
【技术特征摘要】
US 2003-10-29 10/696,1861.一种连接垫结构，包含有一基底，其包含有一连接区域以及一检测区域；一第一介电层，是形成于该基底上，且包含有一环状沟槽以及一相对应形成一介电层岛状结构；一第一导电层，形成于该第一介电层的该环状沟槽中；一保护层，形成于该第一介电层上且包含有一开口，其中该开口的位置相对应于该连接区域以及该检测区域，且该开口暴露该介电层岛状结构以一部分的该第一导电层；以及一第二导电层，覆盖该保护层的开口，且电连接至该第一导电层。2.根据权利要求1所述的连接垫结构，其中该基底更包含有一第一切割道，沿第一方向延伸；以及一第二切割道，沿一第二方向延伸，且该第二切割道与该第一切割道交错配置以定义一芯片的主要区域；其中，该芯片的主要区域包含有一有效区域以及一周边区域；其中，该连接垫结构形成于该有效区域、该周边区域、该第一切割道、该第二切割道或其组合区域上。3.根据权利要求1所述的连接垫结构，其中该连接垫结构呈直线排列或错开排列。4.根据权利要求1所述的连接垫结构，其中该第一导电层的宽度为1～50μm、厚度为0.5～2μm。5.根据权利要求1所述的连接垫结构，其中位于该检测区域内的该第一导电层的面积比例R1符合下列公式R1＝Ar/As，且0≤R1≤30％，其中Ar代表该检测区域内的该第一导电层的面积，As代表该检测区域的面积。6.根据权利要求1所述的连接垫结构，更包含有一第二介电层，形成于该第一介电层的下方；一第三导电层，形成于该第二介电层内；以及至少一导电插塞，形成于该第二介电层内，且该导电插塞可使该第三导电层电连接至该第一导电层。7.根据权利要求1所述的连接垫结构，更包含有至少一转角切口区域，形成于该第一导电层的至少一个转角区域的附近，其中该转角切口区域禁止该第一导电层的制作，且该转角切口区域允许该第一介电层的制作。8.根据权利要求7所述的连接垫结构，其中该转角切口区域为一直角三角形，该直角三角形的斜边的长度为0.5～5μm，该斜边与X轴的夹角θ1为10°～80°。9.根据权利要求8所述的连接垫...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪盟琪，侯上勇，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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