晶片基座制造技术

本发明专利技术揭示一种晶片基座（ｐｅｄｅｓｔａｌ）。其中上述晶片基座是适用于一电浆反应室中承载一晶片，包含：一绝缘本体；一导体层，于上述绝缘本体上；以及一陶瓷盖板，至少覆盖部分该上述导体层。其中，在上述晶片基座承载上述晶片时，上述导体层完全被覆盖。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体制程设备，特别是关于一种用于在一电浆反应室中，承载晶片的晶片基座(pedestal)。
技术介绍
请参考图1，为一剖面示意图，是显示一传统的晶片基座100在一电浆反应室200的作动情形。图1所显示的作动情形为以氩气作为惰性气体电浆42的来源，清除晶片10上的硅氧化物或金属氧化物，特别是晶片10的金属化制程中，用以清除介层窗(via)(未绘示于图面)所曝露的金属层(未绘示于图面)的氧化物的步骤。在图1中的晶片基座100具有一绝缘本体114、导体层120、与绝缘盖板112。而绝缘本体114的材质通常为二氧化硅，且通常具有一凹槽115而将导体层120镶嵌于凹槽115内。而绝缘盖板112的材质通常为石英(为二氧化硅的一固相)，且通常为一可替换的消耗性零件(consumable parts)，覆盖于导体层120与绝缘本体114之上，用以承载晶片10。另外，晶片基座100的俯视图是绘示于图2，其中，顶针孔102中，内含有顶针(未绘示于图面)，用于晶片10的收料(load)与退料(unload)。另外，图2的虚线区域117所标示的范围，是表示图1中埋设于绝缘本体11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片基座，适用于一电浆反应室中承载一晶片，包含：一绝缘本体；一导体层，于该绝缘本体上；以及一陶瓷盖板，至少覆盖部分该导体层，并使得在该晶片基座承载该晶片时，该导体层完全被覆盖。

【技术特征摘要】
US 2003-11-14 10/712,1081.一种晶片基座，适用于一电浆反应室中承载一晶片，包含一绝缘本体；一导体层，于该绝缘本体上；以及一陶瓷盖板，至少覆盖部分该导体层，并使得在该晶片基座承载该晶片时，该导体层完全被覆盖。2.根据权利要求1所述的晶片基座，其中该导体层更包含具有一底部宽度的一底部与具有一上部宽度的一上部，其中该上部宽度小于该底部宽度与该晶片的直径。3.根据权利要求2所述的晶片基座，其中该基底层更包含一凹槽，以容纳该导体层的该底部。4.根据权利要求1所述的晶片基座，其中该陶瓷盖板更覆盖于该绝缘本体之上。5.根据权利要求1所述的晶片基座，其中该陶瓷盖板更包含一开口，暴露该导体层。6.根据权利要求2所述的晶片基座，其中该陶瓷盖板覆盖于该绝缘本体之上，且该陶瓷盖板更包含一中空部，容纳该导体层的该上部。7.根据权利要求1所述的晶片基座，其中该陶瓷盖板为环形。8.根据权利要求1所述的晶片基座，其中该绝缘本体包含二氧化硅。9.根据权利要求1所述的晶片基座，其中该导体层包含钛。10.根据权利要求1所述的晶片基座，其中该陶瓷盖板包含氧化铝。11.一种晶片基座，适用于一电浆反应室中承载一晶片，包含一绝缘本体，具有一凹槽；一导体层，镶嵌于该凹槽；以及一陶瓷盖板，于该绝缘本体与至少部分该导体层上；其中，在该晶片...

【专利技术属性】
技术研发人员：游承璁，林武兴，黄仁宏，蔡志仁，瞿桢，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]