晶片基座及使用该晶片基座的等离子体工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种晶圆基座及使用该晶圆基座的等离子体工艺。其中晶圆基座用于一等离子体反应室中承载一晶圆，包含一具有一第一宽度的绝缘本体以及一具有不大于第一宽度的一第二宽度的导体层，且第二宽度不小于晶圆的直径，而导体层埋设于绝缘本体中。等离子体工艺包含一入料步骤，将上述半导体晶圆置于晶圆基座上，且半导体晶圆在上述晶圆基座上的位置包含于上述导体层正上方的区域。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体工艺设备，更具体地说，涉及一种等离子体反应室中用于承载晶圆的晶圆基座(pedestal)及使用该晶圆基座的等离子体工艺。
技术介绍
如图1所示，该图示出了一传统晶圆基座100在一等离子体反应室内动作的情形。图1中所示的动作情形是以氩气作为惰性气体等离子体42的来源，以清除半导体晶圆10上的硅氧化物或金属氧化物，特别是半导体晶圆10在金属化工艺中，用于清除介层窗(via)(图中未示出)所曝露的金属层(图中未示出)的氧化物步骤。在图1中的晶圆基座100包含有绝缘本体110与埋设于绝缘本体110内的导体层120。绝缘本体110又可细分为顶盖层112与基底层114。其中，基底层114的材质通常为二氧化硅，且通常具有一凹槽115，导体层120镶嵌于凹槽115的宽度或直径范围内。而顶盖层112的材质通常为石英，且通常为一可替换的消耗性零件(consumable parts)，覆盖于导体层120与基底层114之上，用于承载半导体晶圆10。另外，晶圆基座100的俯视图，如图2所示，其中，顶针孔102中内含有顶针(图中未示出)，用于半导体晶圆10的收料(load)与退料(u本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆基座，适用于一等离子体反应室中承载一半导体晶圆，包含：　　　　一绝缘本体，具有一第一宽度；以及　　　　一导体层，具有不大于该第一宽度的一第二宽度，且该第二宽度不小于半导体晶圆的直径，而该导体层埋设于所述绝缘本体中。

【技术特征摘要】
CN 2003-7-29 03150013.71.一种晶圆基座，适用于一等离子体反应室中承载一半导体晶圆，包含一绝缘本体，具有一第一宽度；以及一导体层，具有不大于该第一宽度的一第二宽度，且该第二宽度不小于半导体晶圆的直径，而该导体层埋设于所述绝缘本体中。2.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述绝缘本体包含一顶盖层与一基底层，其中所述导体层位于顶盖层与基底层之间。3.根据权利要求2中所述的晶圆基座，其特征在于所述基底层包含一凹槽，该凹槽具有所述第二宽度，且所述导体层位于凹槽的宽度范围内，而所述顶盖层覆盖于所述导体层与基底层上。4.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述绝缘本体为二氧化硅。5.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述绝缘本体大体为圆柱形。6.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述导体层为钛。7.根据权利要求2中所述的晶圆基座，其特征在于所述顶盖层为石英。8.根据权利要求2中所述的晶圆基座，其特征在于所述基底层为二氧化硅。9.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述半导体晶圆的直径大体为8英寸。10.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述第一宽度大体为9英寸。11.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述第二宽度为8英寸～9英寸。12.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述第二宽度大体为210mm。13.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述半导体晶圆的直径大体为12英寸。14.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述第一宽度大体为13英寸。15.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述第二宽度为12英寸～13英寸。16.根据权利要求1中所述的晶圆基座，其特征在于所述第二宽度大体为310mm。17.一种使用该晶圆基座的等离子体工艺，包含下列步骤提供一等离子体反应室与一半导体晶圆，其中等离子体反...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋享金，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]