【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种半导体制程，且特别有关于自行对准金属硅化物(self-aligned silicidation or SALICIDE)制程。
技术介绍
SRAM为常见的内存，本身是属于一种挥发性(volatile)的内存，亦即，当供给SRAM的电力消失之后，所储存的数据会同时抹除。SRAM储存数据的方式是利用存储单元(memory cell)内晶体管的导电状态来达成，SRAM的设计是采用互耦合晶体管为基础，没有电容器放电的问题，不需要不断充电以保持数据不流失，也就是不需做内存更新的动作，这与同属挥发性内存的动态随机存取内存(DRAM)利用电容器带电状态储存数据的方式并不相同。SRAM的存取速度相当快，因此有在计算机系统中当作高速缓存(cache memory)等的应用。随着电子装置的渐趋复杂，集成电路如金氧半(MOS)晶体管的尺寸也日愈缩小，因此，就晶体管的通道区而言，源/汲极的阻值亦相对提高。有鉴于此，为了降低阻值并保持金属层与MOS晶体管间的浅接面，习知技术揭露了一种自行对准金属硅化物制程，如图1A至图1D所示。首先依据图1A，习知例适用于一半导体...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成金属硅化物的方法，适用于一硅基板，其上形成有一MOS晶体管，包括一复晶硅闸极结构、一源极及一汲极，该方法包括下列步骤形成一活性层于该硅基板既有的结构上；形成一金属层于该活性层上；形成一覆盖层于该金属层上；进行一第一热制程使该金属层与上述复晶硅闸极结构、源极及汲极的硅成份反应，以形成一金属硅化物；选择性蚀刻移除未与硅反应的该金属层；以及对该金属硅化物进行一第二热制程。2.根据权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其中该复晶硅闸极结构是包括一间隙物、一复晶硅闸电极、以及一闸介电层。3.根据权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其中该形成的活性层是顺应性沉积覆盖在该硅基板既有的结构上，使该活性层与该基底上的原始氧化层反应，而消除该原始氧化层。4.根据权利要求3所述的形成金属硅化物的方法，其中该活性层是钛金属层。5.根据权利要求3所述的形成金属硅化物的方法，其中该活性层是铂、钴、锆或钽金属层。6.根据权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其中该活性层的厚度是在50-500埃之间。7.根据权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其中该金属层是钴金属层。8.根据权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其中该金属层是铂、钛、锆或钽金属层。9.根据权利要求7所述的形成金属硅化物的方法，其中该钴金属层的厚度是在20-100埃之间。10.根据权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其中该覆盖层是一氮化钛层。11.根据权利要求10所述的形成金属硅化物的方法，其中该氮化钛层的厚度是在50-500埃之间。12.根据权利要求1所述的形成金属硅化物的方法，其中该第一热制程是一快速热退火制程，其温度是在300-800℃之间，且经历时间是10-60...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜安群，黄振铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。