鳍状半导体二极管结构制造技术

一种鳍状半导体二极管结构，其包括一半导体基材、一垂直半导体鳍状体、一第一导电件和一第二导电件。该半导体鳍状体位于该半导体基材上方，该半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域和掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，第一重掺杂区域和第二重掺杂区域分别位于半导体鳍状体的两侧，第一导电件接触该第一重掺杂区域，第二导电件接触该第二重掺杂区域。该第一重掺杂区域和第二重掺杂区域之间还可包括一轻掺杂区域。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体二极管结构，特别是涉及一种应用于静电放电防护(electrostatic discharge protection，ESD protection)且其制程可与制造复数闸极(multiple-gates)晶体管的制程兼容的鳍状半导体二极管结构。
技术介绍
数十年来，为了提高速度、提高组件积集度和降低集成电路的成本，金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor，MOSFET)不断往缩小尺寸的趋势发展。当闸极宽度不断缩小时，意味着源极和汲极对信道(channel)的电位所造成的影响程度渐渐增强。因此，当闸极宽度缩小至某一程度以下时，闸极上所施加的电压实质上已无法控制信道的开或关状态，这种因为缩短闸极宽度所衍生的问题就是“短信道效应(short channel effect)”。传统上用来解决短信道效应的方式包括有增加半导体基材本体的掺杂浓度、减小闸极氧化层厚度和使用浅源/汲极接合。然而，当闸极宽度缩小至50nm以下时，上述方式已渐渐难以抑制短信道效应，取而代之的是形成复数闸极的晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体二极管结构，其包括一半导体基材，其特征在于：该半导体二极管包括一位于该半导体基材上方的垂直半导体鳍状体、一第一导电件和一第二导电件；该半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域和掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，该第一重掺杂区域和该第二重掺杂区域分别位于该半导体鳍状体的两侧；该第一导电件接触该第一重掺杂区域，该第二导电件接触该第二重掺杂区域。

【技术特征摘要】
US 2003-3-25 10/400,0021.一种半导体二极管结构，其包括一半导体基材，其特征在于该半导体二极管包括一位于该半导体基材上方的垂直半导体鳍状体、一第一导电件和一第二导电件；该半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域和掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，该第一重掺杂区域和该第二重掺杂区域分别位于该半导体鳍状体的两侧；该第一导电件接触该第一重掺杂区域，该第二导电件接触该第二重掺杂区域。2.根据权利要求1所述的半导体二极管结构，其特征在于该第一掺杂物为n-type掺杂物，其材料选自于磷、砷和锑之一，该第二掺杂物为p-type掺杂物，其材料选自于硼和铟之一。3.根据权利要求1所述的半导体二极管结构，其特征在于该第一导电件和该第二导电件的材料为金属、金属氮化物或重掺杂半导体。4.根据权利要求1所述的半导体二极管结构，其特征在于该第一导电件和该第二导电件都具有一第一导体层和一第二导体层，该第一导体层位于该第二导体层下方，其中该第一导体层的材料为氮化钛，该第二导体层的材料为钨。5.根据权利要求1所述的半导体二极管结构，其特征在于该半导体基材为一硅覆绝缘物基材。6.根据权利要求1所述的半导体二极管结构，其特征在于该第一重掺杂区域和该第二重掺杂区域相邻接，使该半导体二极管为一穿遂二极管。7.根据权利要求1所述的半导体二极管结构，其特征在于该半导体二极管还包括一蚀刻屏蔽，该蚀刻屏蔽位于该半导体鳍状体上方，该蚀刻屏蔽的材料为介电材料，选自于二氧化硅、氮化硅和氮化硅位于二氧化硅上方的堆栈层。8.根据权利要求1所述的半导体二极管结构，其特征在于该半导体二极管还包括有一金属硅化物层，该金属硅化物层位于该第一重掺杂区域和该第二重掺杂区域，该金属硅化物层的材料选自于硅化钛、硅化钴、硅化镍和硅化铂之一。9.一种半导体二极管结构，其包括一半导体基材，其特征在于该半导体二极管结构包括一位于该半导体基材上方的垂直半导体鳍状体、一第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨育佳，杨富量，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]