高耐压半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种高耐压半导体器件，较宽地确保电阻性场极板的间隙，且实现高耐压特性。将在衬底上的半导体层的表面区域形成的内侧的第一主电极和外侧的第二主电极，用电阻性场极板连接。该电阻性场极板包括：配置成包围第一主电极且从第一主电极依次靠近第二主电极的多个旋转场极板；以及连接相邻的旋转场极板的连接场极板。在多个旋转场极板所产生的间隙上方，通过层间绝缘膜设置导电性场极板，当向第一及第二主电极间施加电压时，在与电阻性场极板之间形成电容。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高耐压半导体器件，特别涉及具有电阻性场极板(抵抗性フイ一ルドプレ一ト)的高耐压半导体器件。
技术介绍
在高耐压半导体元件中，有在形成于衬底的同一面上的高电压电极(例如阳极电极)和低电压电极(例如阴极电极)之间具有电阻性场极板的类型。这种电阻性场极板具有如下特性在高电压电极和低电压电极之间例如施加了耐压电压的情况下，通过在电阻性场极板中流过微小电流，从而缓和高电压电极和低电压电极间的衬底的表面电场。图9是表示具有这样的电阻性场极板的现有的高耐压半导体器件的俯视图，图10是表示图9的高耐压半导体器件中的电阻性场极板的俯视图。图11是图9的高耐压半导体器件的沿XI-XI线的剖面图。如图11所示，设置由单晶硅衬底51、氧化硅膜形成的绝缘膜52、高电阻的n型衬底54构成的SOI衬底53。在n型衬底54的表面上，选择性地形成p型阳极区55和n型阴极区56。在这些p型阳极区55和n型阴极区56的表面上，分别选择性地形成杂质浓度高的p型接触区58和n型接触区59。在p型阳极区55和n型阴极区56之间的n型衬底54的表面上，形成通过选择氧化形成的所谓LOCOS氧化膜60。在该LOCO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高耐压半导体器件，其特征在于，包括：衬底；半导体层，形成在所述衬底上；横向型半导体元件，形成在所述半导体层的表面区域，具有内侧的第一主电极和外侧的第二主电极，在所述第一和第二主电极间流过主电流；场绝缘膜， 在所述第二主电极的内侧形成于所述半导体层上，包围所述第一主电极；电阻性场极板，具有：多个旋转场极板，分别形成在所述场绝缘膜上，被配置成包围所述第一主电极、且从所述第一主电极依次靠近所述第二主电极，具有大致旋转形状，其最内侧的所述旋转 场极板与所述第一主电极连接、最外侧的所述旋转场极板与所述第二主电极连接；连接场极...

【技术特征摘要】
JP 2003-6-11 166419/20031.一种高耐压半导体器件，其特征在于，包括衬底；半导体层，形成在所述衬底上；横向型半导体元件，形成在所述半导体层的表面区域，具有内侧的第一主电极和外侧的第二主电极，在所述第一和第二主电极间流过主电流；场绝缘膜，在所述第二主电极的内侧形成于所述半导体层上，包围所述第一主电极；电阻性场极板，具有多个旋转场极板，分别形成在所述场绝缘膜上，被配置成包围所述第一主电极、且从所述第一主电极依次靠近所述第二主电极，具有大致旋转形状，其最内侧的所述旋转场极板与所述第一主电极连接、最外侧的所述旋转场极板与所述第二主电极连接；连接场极板，连接相邻的所述旋转场极板；以及导电性场极板，在所述多个旋转场极板所产生的间隙上方，通过层间绝缘膜形成浮置状态，在对所述第一和第二主电极间施加电压时，在与所述电阻性场极板之间形成电容。2.如权利要求1所述的高耐压半导体器件，其特征在于，所述多个旋转场极板分别构成同心圆状。3.如权利要求2所述的高耐压半导体器件，其特征在于，所述导电性场极板沿着所述多个旋转场极板所产生的间隙上方形成同心圆状。4.如权利要求3所述的高耐压半导体器件，其特征在于，所述导电性场极板以覆盖所述多个旋转场极板所产生的间隙中的多个的形式形成。5.如权利要求1所述的高耐压半导体器件，其特征在于，所述电阻性场极板形成旋涡状。6.如权利要求5所述的高耐压半导体器件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口好广，中川明夫，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]