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本发明提供一种高耐压半导体器件，较宽地确保电阻性场极板的间隙，且实现高耐压特性。将在衬底上的半导体层的表面区域形成的内侧的第一主电极和外侧的第二主电极，用电阻性场极板连接。该电阻性场极板包括：配置成包围第一主电极且从第一主电极依次靠近第二主...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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