嵌位二极管结构（四）制造技术

一种嵌位二极管结构，其特征在于：在Ｎ阱中做入两个反向连接的Ｐ－Ｎ－Ｐ二极管或在用Ｎ阱及掩埋型Ｎ阱隔离开的独立Ｐ阱中做入两个反向连接的Ｎ－Ｐ－Ｎ二极管。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适用于半导体集成电路及分离元器件的嵌位二极管结构。
技术介绍
在EEPEOM或者Flash电路中，为了保证有效的檫写次数与保存时间，需要对电压泵的升压值进行精确控制。现有技术中是采用稳压电路来实现，这种做法的问题是该控制电路的面积过大，特别是对于小容量的存储器问题尤为突出。另外，一般的二极管都存在大的温度特性偏移问题，即其嵌位电压会随温度偏移。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种嵌位二极管结构，它无需追加任何光刻及工艺步骤即可使电压控制电路的面积缩小，减小温度特性偏移，工艺上易于实现，成本低。为解决上述技术问题，本专利技术嵌位二极管结构是，在N阱中做入两个反向连接的P-N-P二极管或在用N阱及掩埋型N阱隔离开的独立P阱中做入两个反向连接的N-P-N二极管。通过这两个二极管在电路中相对温度变化的正负温度特性相互补偿的作用，来达到普通二极管对温度依存性的改善。由于采用上述结构，改善了普通二极管作为器件使用时的温度依存性。在普通逻辑、EEPEOM或者Flash工艺中，无需追加任何光刻及工艺步骤的情况下即可实现用该二极管取代稳压电路(BGR)，不仅能够满足对电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种嵌位二极管结构，其特征在于在N阱中做入两个反向连接的P-N-P二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向明，李平梁，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：