【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于半导体集成电路或分离元器件的OTP器件。
技术介绍
在Single-Poly OTP器件(单层多晶硅一次可编程器件)设计中，如何提高编程前后的开启电压差，是直接决定器件开发成败的关键因数。现有技术中的Single-Poly OTP器件，均在电容型晶体管侧采用N+/NWell，P+/PWell或在Poly下做一层掩埋层的结构。《A Single Poly EEPROMCell Structure for Use in Standard CMOS Processes》(IEEEJOURNALOF SOLID-STATECIRCUITS，VOL.24，NO.4，AUGUST 1989)、《Celland Circuit Design for Single-Poly EPROM》(IEEEJOURNAL OF SOLID-STATECIRCUITS，VOL.29，NO.3，March，1994)等文献都介绍了这种结构的OTP器件。该Single-Poly OTP器件，通常在设计电容时，一般会按照设计规则使用Endcap(即Poly相对于扩散区有一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种OTP器件，其特征在于Endcap...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐向明，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。