含双栅增强型HEMT器件的集成系统技术方案

一种含双栅增强型HEMT器件的集成系统，包括基座以及安装在基座上的双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件，该器件包括异质结构以及通过异质结构中的二维电子气形成电连接的源、漏极，该异质结构包括：设置于源、漏极之间的第一半导体，形成于第一半导体表面的第二半导体，设于第二半导体表面的主栅，形成于第二半导体和主栅表面的介质层，设于介质层表面的顶栅；以及，用于使主、顶栅实现同步信号控制的分压补偿电路等，前述电路包括串联和/或并联设置在分别与源极和主、顶栅电连接的各基座接出端之间的分立电容和/或分立电阻。本发明专利技术可以对增强型HEMT器件中的“电流崩塌效应”进行有效控制，并可以将双栅电极四端器件等同于三端器件应用于集成系统中。?

【技术实现步骤摘要】

本专利技术特别涉及一种包含双栅增强型高电子迁移率晶体管器件(Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor , E-mode HEMT)的集成系统。
技术介绍
由于压电极化和自发极化效应，在III族氮化物半导体异质结构上(Heterostructure),如AlGaN/GaN,能够形成高浓度的二维电子气。另外，III族氮化物半导体，具有高的绝缘击穿电场强度以及良好的耐高温特性。III族氮化物异质结构制备的HEMT，不仅可以应用于高频器件方面，而且适合应用于高电压、大电流的功率开关器件。应用到大功率开关电路中时，为了电路的设计简单和安全性方面考虑，一般要求开关器件为常关型，即增强型器件(E-M0DE)。现有的III族氮化物半导体E-MODE HEMT器件应用于高压大功率开关器件时，漏极输出电流往往跟不上栅电极控制信号的变化，即导通瞬态延迟比较大，此即为III族氮化物半导体HEMT器件的“电流崩塌现象”，对器件的实用性具有严重的影响。现有的对“电流崩塌现象”的解释之一是“虚栅模型”。“虚栅模型”认为在器件关断态时，有电子注入到栅附近本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含双栅增强型HEMT器件的集成系统，包括：基座（30），以及，封装在基座（30）上的双栅四端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括异质结构以及通过异质结构中的二维电子气（2DEG）形成电连接的源极（12）与漏极（11），其中，所述异质结构包括：第一半导体（13），其设置于源极（12）和漏极（11）之间，第二半导体（14），其形成于第一半导体（13）表面，并具有宽于第一半导体（13）的带隙，且第二半导体（14）表面设有主栅（16），所述主栅（16）位于源极（12）与漏极（11）之间靠近源极（12）一侧，并与第二半导体（14）形成金属？半导体接触，介质层（17），其形成于第二半导体（14）和主栅（...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于国浩，蔡勇，张宝顺，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：